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专营台产高低压MOS管/可控硅优势
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80000
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MOSFET P-CH 40V 12A TO252
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P-Channel Enhancement Mode Field Eff...
AOSMD [Alpha & Omega Semiconductors]
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s（on）工作于负温度系数区。 当内部产生热不平衡时，局部温度升高，导致这些区域的vgs降低。而流过这些区域单元的电流却进一步增加，使功耗增加，进而促使温度又进一步上升。其温度上升取决于功率脉冲电流的持续时间、散热条件和功率mos单元的设计特性，热失衡导致大电流集中到一个局部区域，形成熔丝效应，产生局部热点，最后导致这些区域单元的栅极失控，功率mos内部寄生的三极导通，从而损坏器件。 3 设计参数优化及器件选择 3.1 封装及热阻的影响 基于图1（a）的电路图，以ao4407a和aod413a做对比实验，输入电压为12 v，两个元件的参数如表1所示。ao4407a的封装为so8，aod413a封装为to252。aod413a的封装体积大，其热阻小，允许耗散的功率大。由于c1远大于两个元件的输入电容，c2远大于两个元件的米勒电容，因此在电路中，元件本身的输入电容和米勒电容可以忽略。如果外部的元件参数相同，在电路中用ao4407a和aod413a，则两者基本上具有相同的米勒平台的时间，如图2（a）、（b）所示。 为了对比aod413a和ao4407a抗热冲击的能力，延长米勒平台的
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