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  • 100KHZ高频逆变电源的设计与仿真

    z,l=80uh,所以c=0.0317uf。取c=0.022+0.022/2=0.033 uf。 谐振回路的品质因数: 则串联谐振电容的耐压值可取谐振电容的耐压为2200v。 (3) 整流桥的选择: 选择40a/1200v 的二极管整流桥,通过查阅器件手册,选择了apt2x60d120j,该器件为快速恢复软开关整流二极管,其响应时间达到ns 级。 (4) mosfet 的选择: 选择2 0 a / 1 2 0 0 v , 通过查阅器件手册, 选择了apt12060b2vfr。该器件为高电压、大功率、低损耗n 型mosfet 管,其vdss=1200v,id=20a,响应时间达到ns 级。 基于前面对1 0 0 k h z 高频逆变电源主电路的分析与计算, 在s i m u l i n k 中构建了主电路仿真模型。如图2 示。 图2 100khz 高频逆变电源主电路的仿真模型 根据图2 的仿真模型和上述参数的选择, 得到100hkz 高频逆变电源主电路的仿真波形如图3 所示,图中, 方波为逆变器输出电压的仿真波形, 正弦波为逆变器输出电流的仿真波形

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