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系统工作流程大致如下:系统上电之后,程序初始化部分对同步串口1进行设置,使四片a/d芯片同时开始工作;利用其中一片a/d芯片的busy输出信号触发dsp的外部中断0;设置数据缓冲区;在主程序中对采集到的数据进行必要的处理;在中断服务程序中依次从并口读入四片a/d芯片的数据。 vc5509内部没有flash,其程序加载需要外部存储器。vc5509支持比较多的引导加载方式,这里采用的是spi接口的eeprom加载,如图4所示。芯片选用的是atmel公司的spi接口的低电压串行eeprom at25256。at25256主要适用于低功耗场合,内部按照32k×8位组织,可以工作在3.3v电压下,最大串行时钟频率为2.1mhz。支持64字节的页写方式以及字节写方式。另外,at25256还可以通过设置写保护引脚/wp的电平来设置芯片的只读或可写状态。 530)this.width=530" border=0> vc5509采用spi接口eeprom模式加载时,默认同步串口0的信号引脚来模拟spi接口,gpio4作为eeprom片选输入。 vc5509具有128k字节内ram,为扩展数据存储备份
程图中具体读引导表的步骤。 在二次加载程序中,加载开始之后,首先设置gpio[7:6]为00h,读入第1页数据。如果程序在计数到8k之后仍未读完,则对gpio[7:6]修改翻页,进行下一个8k的读入。 并行二次加载程序流程如图3所示。 3 串行方式下的二次加载设计 针对串行加载存在的加载速度低的问题,采用二次加载方案,自行设定同步串口时钟分频倍数,以较快的速度完成程序的加载。加载的速度,就只受到外部spi接口的eerpom速度限制。通用spi接口eeprom(如atmel公司的at25256)速度一般均可达到1mbps以上。下面以外接12mhz晶振为例,dsp内部2倍频之后,同步串口0时钟按照12分频,串行加载电路如图4所示。 串行二次加载程序中,初始化部分对dsp及其同步串口o相应控制器进行设置,使spi接口时钟工作在2mhz。然后采用与dsp固化引导程序相同的方式,利用gpio4以及同步串口o模拟spi接口对eeprom进行顺序读入。读完之后,跳转到程序入口执行。 程序流程如图5所示。 4 结论 二次加载方法克服了5509固化引导加载程序的弊端,可以根据不同的
lpc213x可以读写ssp eeprom at25256? 那里能有例子代码呢?相当然地把板子都做了,现在不知道该怎样正确读写,真着急呀!