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浅谈NandFLASH和NorFLASH接口设计和驱动开发
。amba规范主要包括了ahb（advanced high performance bus）系统总线和apb（advanced peripheral bus）外围总线。为了拥有高速的数据交换通道，flash经由控制器模块通过ahb总线与处理器通信。nandflash控制器、norflash控制器和dma控制器都是高速总线ahb上的master模块，都包含符合amba标准的总线接口模块与ahb交互工作。 2.3 norflash的接口设计系统用的norflash芯片是atmel公司开发的at49bv1614a，存储空间为16 mb，在系统中常用于存放代码，系统上电或复位后获得指令开始执行，因此，应将其配置到bank0，将at49bv1614a的片选端nce接至 s3c2410的ngcs0；at49bvl614a的输出使能端noe接s3c2410的noe；写使能端nwe接s3c2410的nwbe0；将模式选择nbyte上拉，使at49bv1614a工作在 16 位数据模式。 2. 4 norflash在系统中的具体操作以at49bv1614a芯片时序图为例，具体说明norflash的写操作，

AT49BV1614A
单电压读/写操作：2.65—3.6V；存取时间为70ns；扇区擦除架构：31个32K字(64KB)扇区具有独立的写入封锁，8个4K字(8KB)扇区具有独立的写入封锁；快速字编程时间为12μs；快速扇区擦除时间为300ms；双层组织，具有程序/擦除，允许并行读取；存储器A层：8个4K字，7个32K字扇区；存储器B层：24个32K字扇区；擦除暂停能力：通过不同扇区的暂停擦除，从任何扇区支持读/编程数据；低功率运行：30mA工作电流，10μA待机电流；Data轮询，触发位，Ready/Busy用于程序检测的结束；VPP引脚用于写保护；RESET输入用于设备初始化；支持扇区解锁；TSOP和CBGA封装选择；提供顶部或底部启动区块配置；128位保护寄存器

各位大侠能帮小弟看看下面的FLASH.C文件是否修改正确吗？
ize 0x200000 * 2 mb * */#define flash_bank_size 0x1000000 /*16mb 05.09.17/17:38*//*#define main_sect_size 0x10000 * 64 kb * */#define main_sect_size 0x20000 /*128kb 05.09.17/17:38*/flash_info_t flash_info[cfg_max_flash_banks];/* at49bv1614a codes *//*#define flash_code1 0xaa*/#define flash_code1 0x90 /*05.09.22/20:30*/#define flash_code2 0x55#define id_in_code 0x01#define id_out_code 0xf0/*#define cmd_read_array 0x00f0*/#define cmd_read_a
AT91SAM-ICE能否对外扩flash进行编程
at91sam-ice能否对外扩flash进行编程我的系统设计如下： at91rm9200+at49bv1614a flash 程序代码放在at49bv1614a里面，请问能否用at91sam-ice对at49bv1614a进行程序烧写！盼回复！
flash ID 是否可以更改？
flash id 是否可以更改？在用embest的仿真机对at49bv1614a编程时，正好同事启动电脑，然后embest online flash progeammer显示编程错误，再写也不行，擦除显示正常，实际没擦除（几分钟前烧的程序从新上电后依旧运行）。试了几回后发现id好象不对embest显示为0x1f0f0f0f，不会是受干扰时改写了flash id 吧。程序在ram中可以运行，embest online flash progeammer也重装过，就差换ｉｃ了。

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