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Atmel面向移动无线电推出硅锗前端集成电路
atmel公司日前宣布推出基于硅锗(silicon germanium, sige)的新型前端集成电路(front-end ic) -- atr0981。该器件整合了接收路径的功率放大器(pa)和低噪音放大器(lna)。 atr0981是利用atmel的硅锗技术制成的集成电路。由于受温度的影响较小，硅锗确保了高度可靠性和稳定性。硅锗还可提高效率，其功率附加效率(pae)达55%，这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗可以通过关闭功率放大器得到降低，从而延长电池寿命。该器件输出功率可达29dbm，功率放大器的功率增益为34db，并可以在3db范围内进行调整。atr0981的lna提供极好的噪音性能，噪音系数为1.5db，功率增益为19db。 atr0981样品目前以无铅、环保psso20封装推出。购买1000件atr0981的单价为1.20美元。来源:小草
Atmel推出新型家用无线电前端硅锗IC
atmel近日宣布推出基于硅锗(sige)的新型前端集成电路(front-end ic)——atr0981。通过sige技术的应用以及该设备的较广工作频率范围(300mhz至500mhz)，可实现从手持家用无线电(pmr专用移动无线电)设备到读表器(meter reader)等众多应用。由于该前端设备高度整合，使用这种前端设备能够设计外部元件较少的应用，包括接收路径的高效功率放大器(pa)和低噪音放大器(lna)。相较于大多数分散的家用无线电前端解决方案，该集成电路利用atmel硅锗技术制成。由于受温度的影响较小，硅锗确保了高度可靠性和稳定性。节约组件成本的同时，较少的组件数量还意味着减少了为设计所花费的精力、失败风险和装配成本。此外，硅锗将功率附加效率(pae)提高至55%，这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗可以通过关闭功率放大器得到进一步的降低，从而延长电池寿命。输出功率可以达到29dbm，功率放大器的功率增益为34db，并可以在3db 范围内进行调整。atr0981的lna噪音系数为1.5db，功率增益为19db。 at

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atmel近日宣布推出基于硅锗(sige)的新型前端集成电路(front-end ic)——atr0981。通过sige技术的应用以及该设备的较广工作频率范围(300mhz至500mhz)，可实现从手持家用无线电(pmr专用移动无线电)设备到读表器(meter reader)等众多应用。由于该前端设备高度整合，使用这种前端设备能够设计外部元件较少的应用，包括接收路径的高效功率放大器(pa)和低噪音放大器(lna)。相较于大多数分散的家用无线电前端解决方案，该集成电路利用atmel硅锗技术制成。由于受温度的影响较小，硅锗确保了高度可靠性和稳定性。节约组件成本的同时，较少的组件数量还意味着减少了为设计所花费的精力、失败风险和装配成本。此外，硅锗将功率附加效率(pae)提高至55%，这有助于确保功率放大器的低电流消耗。总电流消耗可以通过关闭功率放大器得到进一步的降低，从而延长电池寿命。输出功率可以达到29dbm，功率放大器的功率增益为34db，并可以在3db 范围内进行调整。atr0981的lna噪音系数为1.5db，功率增益为19db。

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