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BC183L COMPLEMENTARY SILICON AF SMALL SIGNA... MICRO-ELECTRONICS BC183LPDF下载
BC183L COMPLEMENTARY SILICON AF SMALL SIGNA... MICRO-ELECTRONICS [Micro Electronics] BC183LPDF下载
BC183LA TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CE... ETC BC183LAPDF下载
BC183LB TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CE... ETC BC183LBPDF下载
BC183LC NPN General purpose Amplifier FAIRCHILD BC183LCPDF下载
BC183LC NPN General purpose Amplifier FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] BC183LCPDF下载

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型号厂家封装批号数量日期价格
BC183L PH TO-92 06+ 5000 2012/7/11 10:27:16 0.5000/pcs
BC183L N/A TO-92 10+ 20000 2012/7/10 15:13:21 0.5000/pcs
BC183L PH TO-92 04+ 5000 2012/7/10 15:49:18 0.6000/pcs

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相关电路图

安装类型:
通孔
封装类型:
TO-92
引脚数目:
3
晶体管类型:
NPN
最大功率耗散:
0.3 W
最大直流集电极电流:
0.1 A
最大集电极-发射极电压:
30 V
最小直流电流增益:
220 V
最高工作频率:
280 MHz
每片芯片元件数目:
1
类别:
双极小信号
配置:
单

电子止痛仪一
rp选用半导体收音机用的小型带开关电位器，如wh-l5系列的合成碳膜电位器。 cl和c2均选用耐压值为5ov以上的铝电解电容器;c4选用耐压值为l6v以上的铝电解电容器，c3和c5选用涤纶电容器或独石电容器。 vdl-vd5均选用ln4148硅开关二极管;vd6和vd7均选用1n4007硅整流二极管。 vl选用φ3mm的红色或绿色发光二极管。 vl可选用耗散功率为30omw、最大工作电流为1ooma、反向击穿电压为45v、工作频率为15omhz的晶体管，如3dgl30b、3dgl2d、bc183l等型号;v2选用耗散功率为40w、最大工作电流为3a、反向击穿电压为60v、工作频率为3mhz的晶体管，如3da72b、tiwla等型号。 ic选用ne556或ts556、g556双时基集成电路。 s1选用小型自锁按钮或拨动式开关。 gb选用9v积叠电池。

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配置:

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