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BC557B PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSIS... BOCA BC557BPDF下载
BC557B Amplifier Transistors(PNP Silicon) ONSEMI BC557BPDF下载
BC557B NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FAIRCHILD BC557BPDF下载
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BC557B Amplifier Transistors MOTOROLA BC557BPDF下载
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型号厂家封装批号数量日期价格
BC557B 雷电 TO-92 13+ 100000 2014/4/22 13:42:06 0.0520/pcs
BC557B 长电 TO-92 09+ 3500 2014/4/23 11:13:38 0.0580/pcs
BC557B 仙童 TO-92 2000 2012/4/23 13:29:56 0.0600/pcs
BC557B FSC TO-92 2008/11/11 0:00:00 0.0600/pcs
BC557B 长电 TO92 2008/10/30 0:00:00 0.0600/pcs
BC557B PHILIPS/NXP SOT54 2008/5/8 0:00:00 0.0600/pcs
BC557B NXP 07+ 2008/5/8 0:00:00 0.0600/pcs
BC557B MOT TO-92 07+ 2008/5/8 0:00:00 0.0600/pcs
BC557B FSC TO-92 07+ 2008/4/22 0:00:00 0.0600/pcs
BC557B 长电 TO-92 NEW 2007/9/8 0:00:00 0.0600/pcs

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引脚图及结构图
相关电路图

标准包装:
5,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
晶体管(BJT) - 单路
系列:
-
晶体管类型:
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
45V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大）:
100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):
180 @ 2mA，5V
功率 - 最大:
625mW
频率 - 转换:
320MHz
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:
TO-92-3
包装:
散装
其它名称:
BC557BOS

BC557BG的技术参数
产品型号:BC557BG
类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压Vceo(V):45
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
直流电流增益hFE最小值(dB):180
直流电流增益hFE最大值(dB):450
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):150
封装/温度(℃):TO92/-55...

BC557B
电流参数：ICM=-0.1A电压参数：UCBO=-50V功率：PCM=0.625W其他参数:fT=150MHz极性：PNP

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金属探测器二
(频率偏移)，使ic的6脚和7脚之司产生电压差，pa的指针出现偏转，指示频率的变化量。调节rpi的阻值，可改变vco的工作频率。调节rp2的阻值，使pa在l未检测到金属物体时指示为0。元器件选择 rl-r6选用1/4w或l/8w碳膜电阻器。 rpl选用多圈精密电位器;rp2选用单圈普通合成膜电位器。 cl和c2均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3-c5和c8均选用独石电容器;c6和c7均选用高频瓷介电容器。 vl选用bc547b或s9018型npn晶体管;v2和v3选用bc557b或c8550型硅pnp晶体管。 ic选用ne555双时基集成电路。 l用φ0·49mm的漆包线在φ1ocm的塑料骨架上绕40匝制成。 gbl和gb2均选用9v积叠电池。 pa选用土5oμa的中零电流表。

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