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PNP general purpose transistors
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PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSIS...
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Amplifier Transistors(PNP Silicon)
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NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
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PNP SILICON TRANSISTORS
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ONSEMI [ON Semiconductor]
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MOTOROLA [Motorola, Inc]
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Amplifier Transistors(PNP Silicon)
ONSEMI [ON Semiconductor]
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分离式半导体产品
晶体管(BJT) - 单路
-
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100mA
45V
650mV @ 5mA,100mA
100nA
180 @ 2mA,5V
625mW
320MHz
通孔
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
TO-92-3
散装
BC557BOS
产品型号:BC557BG
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):45
集电极最大电流Ic(max)(mA):100
直流电流增益hFE最小值(dB):180
直流电流增益hFE最大值(dB):450
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):150
封装/温度(℃):TO92/-55...
电流参数:ICM=-0.1A电压参数:UCBO=-50V功 率:PCM=0.625W其他参数:fT=150MHz极 性:PNP
相关元件pdf下载:bc557b tic206d bc547b til111
(频率偏移),使ic的6脚和7脚之司产生电压差,pa的指针出现偏转,指示频率的变化量。 调节rpi的阻值,可改变vco的工作频率。 调节rp2的阻值,使pa在l未检测到金属物体时指示为0。 元器件选择 rl-r6选用1/4w或l/8w碳膜电阻器。 rpl选用多圈精密电位器;rp2选用单圈普通合成膜电位器。 cl和c2均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3-c5和c8均选用独石电容器;c6和c7均选用高频瓷介电容器。 vl选用bc547b或s9018型npn晶体管;v2和v3选用bc557b或c8550型硅pnp晶体管。 ic选用ne555双时基集成电路。 l用φ0·49mm的漆包线在φ1ocm的塑料骨架上绕40匝制成。 gbl和gb2均选用9v积叠电池。 pa选用土5oμa的中零电流表。