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NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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POWER TRANSISTORS(6A,65W)
MOSPEC [Mospec Semiconductor]
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NPN SILICON POWER TRANSISTORS
POINN [Power Innovations Limited]
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Medium Power Linear and Switching Ap...
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c1和c2均选用独石电容器或涤纶电容器。 l选用电流大于2a的电感器。 vd1、vd2均选用1n5408型硅整流二极管;vd3选用1n4001或1n4004、1n4007型硅整流二极管;vd4~vd9均选用1n4148型硅开关二极管。 v1和v2选用s8050或c8050型硅npn晶体管;v3和v4选用bd243或tip41、3dd67型硅npn晶体管;v5和v6选用bu932或mj10025型硅npn型大功率达林顿晶体管，可根据功率需求而采用多只晶体管并联使用。 ic1选用ne555型时基集成电路;ic2选用cd4017或mc14017型十进制计数/脉冲分配器电路。 t选用二次电压为双12v(220/12vx2)的电源变压器，使用时将原一次绕组作为w1，两个二次绕组分别作为w2和w3。t的功率应根据实际需求而选用。 来源:零八我的爱
13和r14选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器;r5、r8、r9和rl2选用2w金属膜电阻器或线绕电阻器;r6和rlo均选用1w金属膜电阻器。rpl和rp2均选用小型实心电位器。 cl~c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vll~vl4均选用φ5mm的发光二极管，vl1和vl3选用绿色，vl2和vl4选用红色。 vs1~vs4均选用1/2w、4.2v的稳压二极管。 ur选用3a、5ov的整流桥堆。 vl和v3选用tip42或bd244型硅pnp晶体管;v2和v4选用tip41或bd243型硅npn晶体管。 ic1选用ne555型时基集成电路;ic2选用cd4066型电子开关集成电路;ic3选用lm324型四运放集成电路。 t选用8w、二次电压为6v的电源变压器。 来源:零八我的爱
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产品型号厂 家封 装批 号数 量价 格供应商 bd243国产 to-220 12+ 500000 0.24元深圳龍泰信半導體有限公司7v12000008txc 3000 1.20元深圳市纳诚科技有限公司bav99cj sot-23 2011 240000 60.00元晨昕電子(香港)有限公司a1013tos 11+ to-92 0.06元深圳裕泽电子商行tpa6111a2ti 05+ 20 2.50元新洋兴业有限公司tms320vc5402pge100ti tqfp144 11+ 1194 15.00元深圳市丹尼亚电子有限公司w27c512-45winbond dip-28 2007 3000 3.00元深圳亚洲环球电子有限公司iw1691-03iwatt so-8 11(pb-free) 2080 1.45元广州达睿电子有限公司lm1117-adjns sot-223 c 3883 0.50元深圳市恒宇星电子实业有限公司lm393dtst sop8 04+ 3500 0.50元深圳市恒宇星电子实业有限公司tb1334fgtoshiba qfp-64 2011+ 50000 35.00
均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c3和c4均选用独石电容器。 vd选用1n4148型硅开关二极管。 vll-vu均选用45mm的发光二极管，vll选红色，vl2选绿色，vl3选橙色。 ur选用3a、5ov的整流桥堆。 vl和vz均选用3cg8550或58550、25a1015型硅pnp晶体管;v3选用c8050或58050、3dg8050、2scl815等型号的硅npn晶体管;v4选用3cdlob或bd244、tip42型硅pnp晶体管;v5选用3dd67b或bd243、tlp41型硅npn晶体管。 icl选用78l05型三端稳压集成电路;ic2选用lm358型运算放大器集成电路;ic3选用cd4017型十进制计数/脉冲分配器集成电路。 t选用5-8w、二次电压为lov的电源变压器。 s1选用单极双位 (单刀双掷)·开关;s2选用单极四位波段开关。 来源:university
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