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PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
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ONSEMI [ON Semiconductor]
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PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
SIEMENS [Siemens Semiconductor Group]
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Plastic Medium Power Silicon PNP Tra...
MOTOROLA [Motorola, Inc]
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统。芯片内部集成了上电复位、欠压检测和看门狗电路,使用内部晶振(4m晶体),这些都极大的简化了外围电路的设计。 充电电路以及充电过程: pic16f676的rc3口或者rc4口用于输出占空比可调的pwm脉冲信号控制npn三极管8050的通断。启动rc3口通过定时器1控制引脚输出高低电平即可以对电池进行充电控制。电池充满时候,停止定时器,rc3输出低电平,npn三极管截止,便可以停止充电。 在一个pwm脉冲周期中,当npn三极管导通时,mosfet管bd442的栅极为高电平,外部电源经过肖特基二极管,检测电阻给电池充电;当npn三极管8050截止时候,mosfet管bd442的栅极为低电平,外部电源停止充电。在下一个pwm脉冲周期,重复上述过程。 充电状态检测电路: 1) 电池端电压检测:通过精密电阻r18,r19分压获得电池端电压,将此信号接到pic16f676的rc1引脚ad检测引脚。 2) 电池温度检测:在电池组内内置一个具有负温度系数的热敏电阻,通过测量热敏电阻的端电压可以准确地测量到电池组的温度。为保证测量精度,回
产品型号:BD442G
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80
集电极最大持续电流IC(Max)(A):4
直流电流增益hFE最小值(dB):15
直流电流增益hFE最大值(dB):-
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):3
功率耗散PD(W)@25℃:36
4.0A/80V