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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP ...
ETC
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4.0A/60V
或金属膜电阻器。 cl选用耐压值为400v的铝电解电容器;c2、c6、c7、c9、cl2和c13选用独石电容器或涤纶电容器;c4、c5、cl5和ci6均选用高频瓷介电容器;c3和c8均选用耐压值为25v的铝电解电容器;clo、cll和c14均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl和vd4均选用1n4007型硅整流二极管;vd2选用ln5819型整流二极管;vd3选用fr101型快恢复二极管或1n4148型硅开关二极管。 vll-vl3均选用φ5mm的发光二极管。 vl选用3ca5a或bd786、2sb772型硅pnp晶体管;v2选用s9013或3dgl2ob·、2sc945型硅npn晶体管;v3选用3dalo0或2sc2285、2sc5609型硅npn晶体管。 vf选用2n60型场效应晶体管。 icl选用ka3842b型单端输出式脉宽调制开关电源集成电路;ic2选用78肋5型三端稳压集成电路;ic3选用ks86c4104型微处理器集成电路。 ll和l2均选用滤波用电感线圈;l3选用小型扼流圈。 s选用动合 (常开)型按钮。 bc选用4mhz晶体振荡器。 来源:univer