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bdv64b中文资料

  • 标准包装:

    30

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    晶体管(BJT) - 单路

  • 系列:

    -

  • 晶体管类型:

    PNP - 达林顿

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

    10A

  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

    100V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:

    2V @ 20mA，5A

  • 电流 - 集电极截止（最大）:

    1mA

  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

    1000 @ 5A，4V

  • 功率 - 最大:

    125W

  • 频率 - 转换:

    -

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-218-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-93

  • 包装:

    管件

  • BDV64B

    电流参数：IC=10A/IB=0.5A电压参数：UCBO=100V/UCEO=100V/UEBO=5V功 率：PC=125W极 性:PNP

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