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BF245B N-Channel junction field-Effect Tran... INFINEON BF245BPDF下载
BF245B N-Channel Amplifiers FAIRCHILD BF245BPDF下载
BF245B N-channel silicon field-effect trans... PHILIPS BF245BPDF下载
BF245B N-Channel junction field-Effect Tran... SIEMENS [Siemens Semiconductor Group] BF245BPDF下载
BF245B N-Channel Amplifiers FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] BF245BPDF下载
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BF245B N-channel silicon field-effect trans... PHILIPS [Philips Semiconductors] BF245BPDF下载
BF245BAMO TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, ... PHILIPS BF245BAMOPDF下载

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稳定振幅的LC振荡器
号，控制电压—电流的变换效率，即 a1 和 a2 的放大系数。为两个放大级增加放大控制可以显著提高控制的效率。除了起振和持续振荡的初始正反馈以外，可以在振荡电路中增加一个间接负反馈通道，以限制 v22 的幅度。为满足最初的设计目标，放大器块 a1 和 a2 应呈现出压控输入-输出特性，并应具备线性控制的放大特性（图 4），而不应变换信号的相位，而且应该几乎没有输入电流。另外，为仿真一个电流源，a2 应呈现尽可能高的差分输出内阻。适用于两个放大级的最佳有源器件选定为n沟道的中级bf245b jfet，该器件在栅源电压为0v、漏源电压为15v时，其漏电流为5ma。图5显示了最终电路，其中q2作为共漏放大器a2，q1则是共栅放大器a1。 q1的栅源结点对调谐电路上的交流电压v22进行整流。图5中的耦合电容器c4是图3中直流恒压电容器cs的两倍，因为它的基电极通过调谐线圈 l 的低直流阻抗接地。dc控制电压通过电阻器r2驱动q2的栅极。电容器c2将q2的栅极接地，提供交流信号通道，而q2工作在共栅连接下，因为q1的源极驱动q2的源极。为减少由于负载变动导致的频率变化，与

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的变换效率，即 a1 和 a2 的放大系数。为两个放大级增加放大控制可以显著提高控制的效率。除了起振和持续振荡的初始正反馈以外，可以在振荡电路中增加一个间接负反馈通道，以限制 v22 的幅度。为满足最初的设计目标，放大器块 a1 和 a2 应呈现出压控输入-输出特性，并应具备线性控制的放大特性（图 4），而不应变换信号的相位，而且应该几乎没有输入电流。另外，为仿真一个电流源，a2 应呈现尽可能高的差分输出内阻。适用于两个放大级的最佳有源器件选定为n沟道的中级bf245b jfet，该器件在栅源电压为0v、漏源电压为15v时，其漏电流为5ma。图5显示了最终电路，其中q2作为共漏放大器a2，q1则是共栅放大器a1。 q1的栅源结点对调谐电路上的交流电压v22进行整流。图5中的耦合电容器c4是图3中直流恒压电容器cs的两倍，因为它的基电极通过调谐线圈 l 的低直流阻抗接地。dc控制电压通过电阻器r2驱动q2的栅极。电容器c2将q2的栅极接地，提供交流信号通道，而q2工作在共栅连接下，因为q1的源极驱动q2的源极。为减少由于负载变动导致的频率变化，与 q1