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引脚图及结构图
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标准包装:
2,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
RF 晶体管 (BJT)
系列:
-
晶体管类型:
NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）:
20V
频率 - 转换:
-
噪声系数（dB典型值@频率）:
-
增益:
-
功率 - 最大:
350mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):
67 @ 1mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）:
30mA
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:
TO-92-3
包装:
散装

BF494
0.1A/30V

金属探测器电路图一
c19的容量，使l靠近金属物体时bl发出警示声。调整rp的阻值，可改变扬声器bl发声的大小。元器件选择 r1～r15均选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rp选用带开关的合成膜电位器。 c1和c14、c15均选用耐压值为16v的铝电解电容器；c2～c4、c7～c13和c16～c18均选用独石电容器；c5和c6均选用高频瓷介电容器；c19选用小型聚酯薄膜微调电容器或云母微调电容器。 vd1和vd2均选用2ap9型锗普通二极管。 v1～v3均选用59018或bf494型硅npn晶体管。 ic选用tda2822型音频功率放大集成电路。 l用φo.51mm的漆包线在φ10cm的骨架上绕10～20匝。 bl选用0.25～0.5w、8ω的电动式扬声器。 zc选用电视机用的5.5mhz或6.5mhz陶瓷滤波器。欢迎转载，信息来源维库电子市场网（www.dzsc.com）

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功率 - 最大:

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

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