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金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
65V
10W
2.11GHz 到 2.17GHz
SOT-538
3
No SVHC (18-Jun-2012)
10W
很少有ldmos可以通用在700m到2100m的频段,覆盖三大运营商的工作频段;在800m一般的增益都是18db左右,2100m的增益一般都在15db左右,这样就对前级推动要求比较高,对此nxp专门设计了超宽带应用,超高增益的10w推动级系列。为此给客户带来了两方面的好处:一方面可以让客户在各个频段共用一个推动级,减少了备货的风险;另一方面可以减少前级推动的压力,可以使用更小功率等级的管子,节约了成本。 针对cdma,gsm,dcs,wcdma的工作频段,设计了适用于700m~2200m的blf6g21-10g宽带功放管,该宽带功放管具有极高的增益:在800m的增益有21db,在2100m的增益有18.5db,除此之外,该功放管还具备电路结构简单,在700m~2200m带宽内共用一个微带拓扑结构,只需要微调匹配电容即可;针对td-c,td-d,lte的高频段应用,设计了适用于2200m~2700m的blf6g27-10g宽带功放管,该功放管亦具有极高的增益,在2.7g依然有19.5db的增益; 为此dxy鼎芯开发出各频段demo以支持客户的使用。下图为blf6g21-10g(10w)在不同频点的