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st为状态输出端。 out为功率输出端。 芯片内部主要包括逻辑电路、电压检测电路、整流器、充电泵、功率mosfet。此外,还有防止静电放电(esd)的保护电路,过电压保护、过流保护、负载开路及短路保护电路,对电感负载的保护电路,对功率mosfet栅极进行保护的电路。 bts412b的主要技术参数为ubb>50v,连续输出的负载电流il=1.4a,最大峰值电流ilimit=25a,导通电阻ron=0.25ω。 使用两片bts412b作高端开关,另用两只buz71l型50v、14a、40w的n沟道场效应管作低端开关,可构成如图4所示的h桥双向直流电动机驱动电路。buz71l的导通电阻仅为0.1ω。当发生故障时,从st端输出的状态信号就通过晶体管je9013驱动led发光,作为报警指示。 500)this.width=500" border=0>图4 h桥 双 向 直 流 电 动 机 驱 动 电 路 3 智能功率模块的原理与应用 由日本三菱电机公司开发出的ipm系列产品,属于第三代智能功率模块。它采用第三代igbt来代替传统的功率mos