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新型TOPSwitch-GX系列电源的PI设计
使用聚脂薄膜隔离，保证了较好的绝缘强度。同时，为了降低磁辐射、减小温升及便于安装，在初级与次级线圈之间以及其外圈都用铜片隔离，且缝隙处用导热胶灌注。在变压器的设计和制作过程中，必须对磁芯与线圈的结构、绕制方法、散热、效率等周密考虑。 2．4 电路工作原理输入交流195～265 v电压接入交流电源进线端的lc，专门用于滤除电网线之间的串模干扰和共模干扰。交流电压经全桥整流后。再通过滤波电容变成较平滑的直流电压：与变压器原边并联的吸收电路采用钳位电压为200 v的p6ke200型瞬态电压；vd选用byv26c型超快恢复二极管，其反向耐压为600 v，可构成保护功能完善的vs、vd、r、c型钳位及吸收电路，以便吸收漏感上较大的磁场能量，从而保护mosfet不受损坏。由高频变压器t1和top246y组成的单端反激电路，可将能量传输到二次侧；输出整流二极管采用共阴极肖特基对管．输出滤波电路由l和c并联构成；线性光耦合器pc817和可调式三端精密稳压器tla31组成精密光耦反馈电路；输出电压uo通过电阻分压器获得取样电压，并与tla31中的2．5 v基准电压进行比较后产生误差电压，再经过光耦隔离放大，可改变
新型无损快速智能充电器的设计方法
。电源电路如图2所示。图2 24v/40w电源电路设计的性能指标如下： 1）输入电压：uac=220（1±20%）v;2）输入电压频率：f=50（1±5%）hz;3）输出电压/最大输出功率：24 v/40 w;4）开关电源效率：η≥80%. 交流输入电压uac经过压敏电阻r1滤除交流电压中的尖峰脉冲后，经电磁干扰（emi）滤波器（c1,l1）滤除差模和共模干扰。之后经过br全波整流及c2滤波后产生直流高压，给高频变压器的初级绕组供电。p6ke200（瞬态电压抑制器）和byv26c（超快恢复二极管）构成钳位电路，用于吸收在top224y关断时由高频漏感产生的尖峰电压，并能衰减振铃电压，对漏极起到保护作用。次级电路经过vd3、c3、l2和c4整流滤波输出24 v的电压u0.由tl431a构成的外部误差放大器实现u0的动态稳压，当输出电压发生波动，经r4、r5分压后得到取样电压，就与tl431a内的基准电压（2.5 v）进行比较产生一个外部控制信号，再通过线性光耦合器pc817a改变top224y控制电流，进而调节占空比使u0趋于稳定。c7滤除加在控制端的尖峰电压，还与r2、
大功率单片开关电源设计
x与源极s相连，则该两端的功能都没用，即不从外部设定极限电流，内部自动设定自保护电流ilimit，开关工作频率为132k；控制极和光耦ltv817相连，接受反馈信号以实现对内部集成的高压功率mos管占空比的控制；线路检测端l通过一2mω的电阻和直流高压输入的正端相连以实现过压、欠压线电压前馈的线电压检测。整个电路为单端反激式，topswitch—gx为开关集成稳压器，反馈电路主要有光耦ltv817和与之串连的三个稳压二极管构成。电容c1为高频滤波电容；瞬态电压抑制器p6ke200和超快恢复二极管byv26c构成钳位电路，并在其中串入rc吸收电路(由r2，r3和c6组成)，这样除了可以吸收部分漏感中的能量以外，还可将电压钳位在200v，可使开关电源在启动或过载的情况下topswitch—gx内部集成mos管的漏极电压不超过700v；光耦ltv817和稳压二极管(vr2～vr4)构成反馈电路，r6是光耦中led的限流电阻，它还决定控制环路的增益，输出电压变化时则流过光耦中led的电流相应变化，从而光送到芯片控制极c的电流也相应变化，芯片内部据此产么的pwm信号占空比发生变化最终使输出电压稳定；高频变压
两种双管反激型DC/DC变换器的研究和比较
传统双管反激和宽范围双管反激拓扑的样机验证了以上的分析和比较。为了具有可比性，这两台样机的规格和参数须保持一致，只是传统的双管反激变换器的输入电压范围是250～400v，宽范围双管反激的输入电压范围为100～400v。这两台样机的其他规格和参数如下：输出电压vo 24v；输出电流io 0～4a；工作频率f 108khz；主开关s1及s2 irf840；整流二极管dr1 halfof30cpq100；变压器t n=160∶20，lm=7.2mh，ls=180μh；钳位二极管d1（d2）byv26c。图4（a）、（b）、（c）是300v输入2.5a输出时传统双管反激变换器的主要实验波形。图4(a)是变压器原边的电压波形，正向电压为300v，反向复位电压大约为200v。图4(b)是开关管s1漏源间的电压波形，其峰值为300v，然后经过一个振荡降至275v左右。图4(c)是开关管s2漏源间的电压波形，其峰值为300v，经过振荡降至225v左右。两个开关管s1及s2的峰值电压均未超过输入电压。图4（d）、（e）、（f）是150v输入4a输出时宽范围双管反激变换器的主要实验波形。图4（d）是变压器
LED恒流源周边元器件的选择方法
压大电流的型号vf值会低些，成本也会稍有增加，没有成本压力可以考虑。经常可以使用的二极管可以是： in5817 1a 20v in5819 1a 40v cmsh1-60m 1a 60v cmsh1-100m 1a 100v byv26a 1.5a 200v byv26b 1.5a 400v byv26c 1.5a 600v byv26d 1.5a 800v b220 2a 20v b240 2a 40v b2100 2a 100v b320 3a 20v ups340 3a 40v sbm430 3

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使用聚脂薄膜隔离，保证了较好的绝缘强度。同时，为了降低磁辐射、减小温升及便于安装，在初级与次级线圈之间以及其外圈都用铜片隔离，且缝隙处用导热胶灌注。在变压器的设计和制作过程中，必须对磁芯与线圈的结构、绕制方法、散热、效率等周密考虑。 2．4 电路工作原理输入交流195～265 v电压接入交流电源进线端的lc，专门用于滤除电网线之间的串模干扰和共模干扰。交流电压经全桥整流后。再通过滤波电容变成较平滑的直流电压：与变压器原边并联的吸收电路采用钳位电压为200 v的p6ke200型瞬态电压；vd选用byv26c型超快恢复二极管，其反向耐压为600 v，可构成保护功能完善的vs、vd、r、c型钳位及吸收电路，以便吸收漏感上较大的磁场能量，从而保护mosfet不受损坏。由高频变压器t1和top246y组成的单端反激电路，可将能量传输到二次侧；输出整流二极管采用共阴极肖特基对管．输出滤波电路由l和c并联构成；线性光耦合器pc817和可调式三端精密稳压器tla31组成精密光耦反馈电路；输出电压uo通过电阻分压器获得取样电压，并与tla31中的2．5 v基准电压进行比较后产生误差电压，再经过光耦隔离放大，可改变

什么样的二极管是具有软恢复特性的啊
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