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SUNMATE品牌高品质二极管生产商-免费送样
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波形具有陡峭的上升沿和下降沿,设计中选定mosfet型号为:spa07n65c3(漏源级电压650v, 漏极电流7a,导通电阻0.6ω)。 由于变压器的绕制工艺引起的漏感以及负载的电感性引起的开关电压应力过大可能导致开关管的损坏,此处采用的是有瞬态电压抑制器与二极管串联构成的尖峰电压吸收网络,可有效防止功率mosfet 管关断过程中承受的反压。d8 是型号p6 ke150a 的tvs(transient voltage suppresser), 钳位电压150v/耗散功率600w,d9 是byv95c(1 a/1kv)具有软恢复特性的二级管。开关管vds 的最大钳位电压:vds(clamp)=vds_max+vd5=458.5+1 50=608.5(v), 小于mosfet 额定值650v.在此吸收网络与传统的rcd 吸收网络不同的是,在低压输入或轻载的情况下,开关管的vds 电压不足以使其动作,这样减少了功率的损耗,提升了整机低压输入和轻载时的效率。 fan6754a 具有开环保护(olp)功能,在出现开环或输出短路故障时可确保系统的安全性。输入到sense6 脚的外部电阻值可转