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应关羽备用电源。当c2充满电(约30s)后，vd4和v导通，低频振荡器和音频振荡器停振，ha停止发声。 元器件选择 rl和r2均选用lw金属膜电阻器;r3-r6选用1/4w碳膜电阻器或金属膜电阻器。 cl选用耐压值为25v的铝电解电容器;c2和c5均选用耐压值为16v的铝电解电容器; c3和c4选用独石电容器或涤纶电容器。 vdl-vd4均选用1n4001或1n4004、1n4007型硅整流二极管。 v选用3dg6或s9013型硅npn晶体管。 ic选用cd401l或cc401l、c036、c066型四与非门集成电路。 ha选用φ27mm的压电式蜂鸣器 (用压电蜂鸣片加装助声腔后制成)。 来源:零八我的爱
碳膜电阻器或金属膜电阻器。 rpl和rp2均选用有机实心电位器。 cl选用耐压值为400v以上的cbb电容器;c2-c5均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl-vd5选用ln4001或1n4007型硅整流二极管。 vs选用1n4742或2cwli0(iw，l2v)型硅稳压二极管。 vli和vl2均选用d5mm的发光二极管，vll选绿色，v忧选红色。 v选用c8050或s8050、3dg8050、3dgl2型硅npn晶体管。 ic选用cd401l或cc401l、mcl401l、c036型四与非门集成电路。 k选用有4组转换触头的l2v直流继电器 (k3用两组触头并联使用)。 来源:零八我的爱
发生的地点;同时d5输出高电平，vd1导通，音频振薄器工作，bl发出报警信号。 元器件选择 r1~r13选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器。 c选用高频瓷介电容器。 vd1和vd2均选用1n4148型硅开关二极管。 vl1~vl4均选用φ5mm的高亮度发光二极管。 v选用s8550型硅npn晶体管或3ax81、3ax83型锗pnp晶体管。 ic1选用cd4069或cc4069、mc14069、c033型六非门集成电路;ic2选用cd4011或cc4011、mc14011、c036型四与非门集成电路。 bl选用0.25w、8~25ω的电动式扬声器。 w1~w4使用细漆包线。 来源:零八我的爱
5均选用1/4w金属膜电阻器;r6选用1/2w金属膜电阻器。 rp选用有机实心电位器或可变电阻器。 c1、c3和c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c2选用高频瓷介电容器;c5选用耐压值为400v以上的cbb电容器。 vd选用1n4001或1n4007型硅整流二极管。 vs选用1n4742(1w、12v)型硅稳压二极管。 vl选用φ5mm的高亮度发光二极管。 ur选用1a、5ov的整流桥堆。 v选用c8550或s8550、3cg8550型硅pnp晶体管。 ic选用cdo11或c036型四与非门集成电路。 ta选用e形铁心制作:绕组w1用φ0.9~φ1.3mm的漆包线绕10匝;绕组w2用φo.08~0.12mm的漆包线绕1000匝。绕制时先绕绕组w2，后绕绕组w1。 k选用jzc-78f型12v中功率直流继电器 (也可用其常闭触头去控制交流接触器)。 ha选用220v电铃。 来源:零八我的爱
（4326厂） bm9670-sf bw 北京半导体器件五厂（北京5厂） bw4102 c 北京前门器件厂（北京前门） c4071 c 北京东光电工厂（北京东光）（878厂） c097 c 北京半导体器件三厂（北京3厂） c043 c 北京半导体器件五厂（北京5厂） c423 c 陕西西安航空航天部691厂（西安691） c4000b c 天津半导体器件厂（天津半导） c544 c 上海无线电元件五厂（上海5厂） c036 c 上海无线电十四厂（上海14厂） c034 c 江苏苏州半导体器件总厂（苏州半导） c044 c 江苏常州半导体厂（常州半导） c035 c 江苏江南材料厂（江南材料）（767厂） c039 ca 广东广州半导体厂（广州半导）（广州音响电器厂）ca2002 ca2002 cc 北京东光电工厂（北京东光）（878厂） cc4008 cc 北京半导体器件三厂（北京3厂） cc4011 cc 北京前门器件厂（北京前门）
相关元件pdf下载：c036 路灯的光控电路种类很多，但大部分装置本身耗费相当大的电能。如图所示电路无论白天或晚上，其工作电流不大于1ma，用6节1号干电池供电，可使用1年以上。工作原理电路如图所示，它由光电转换部分、与非门、微分电路及控制电路组成。当有光照时，光敏二极管vd1导通，a点电位达到与非门yf1的开门电平，输出端b点低电位， yf2输出高电位，经c1与r5组成的微分电路，在c点输出一正尖峰脉冲，使bg1导通，j1瞬时吸合(随即释放)。常闭触点j1-1断开，cj1断电释放，其自保触点cj1-1断开，路灯熄灭。当晚上无光时，a点低电平，b点高电平，经yf3与yf4及由c2和r6组成的另一微分电路，在d点上又产生一正脉冲，使晶体管vt2导通，j2瞬间吸合(随即释放)。常开触点j 2-1闭合，cj1吸合，cj1-1自保，灯被打开。由于j1与j2采用了瞬间吸合的方法，所以电路的功耗很小。元器件选择：与非门采用cmos片c036，2输入4与非门一块。晶体管vt1、vt2用3dg型硅管，β值应大于80。光敏二极管vd1用2cu型。继电器j1、j2选用工作电压在6v左右的高
应达到20a以上。rp3～rp4应尽量选用实芯电位器。vd3、vd4选用g25a10整流管或其他25a／100v的整流管。c10可用三只3300f／32v的电容器并联。功率模块采用tm90n18，参数为：pd＝500、id＝90a、rds＝0.82ω、udss＝180v，可用数只大功率场效应管并联代用。ic2选用功能相同的cd4070、cd4030、c660等中的一种，ic4选用lm324、lm339等中的一种，ic5可选用cd4066、cd4016、c544等中的一种，ic6选用cd4011、c036、74／53lsoo等中的一种。v5和v6、v8和v7的参数应尽量一致。c3、c4容量应尽量相同。t1需自己绕制，铁心采用舌宽为40mm的优质冷轧硅钢片叠厚60mm；低压边采用双股1.88mm高强度漆包线绕制，8～9、9～10之间均绕39匝，11～12间绕17匝（可用单股），13～14间绕10匝（也可视电动机工作电压而定）；高压边采用0.86mm漆包线绕制，1～2、2～3、3～4、4～5间均为15匝，5～6间为145匝，6～7间为175匝，两级间采用一层屏蔽层。t2采用220v／12v的电源变压
阻器;r24和r25均采用电阻丝绕制而成。 cl和c2均选用高频瓷介电容器;c3-c5和c7均选用独石电容器;c6和c8均选用耐压值为25v的铝电解电容器。 vs选用lw、9v的硅稳压二极管。 vll-vllo均选用φ3mm的发光二极管。 ur选用loa、5ov的整流桥堆。 v1和v2选用3cdl5od或3cdgc、bd316、2n6330、bdw52 型硅pnp晶体管，v3选用59013或c8050、3dgl2型硅npn晶体管。 icl选用cmoll或c036型四与非门集成电路; ic2选用cd4069或c033型非门集成电路;ic3选用c181或cd40193 型4位二进制可预置可逆计数器集成电路，ic4选用c301或 cd4028型bcd十进制译码器集成 电路;ic5和1c6选用c544或cd4066型四双向模拟 电子开关集成电路;lc7选用lm317型三端可调稳压集成电路。 t选用30-5ow、二次电压为18v的电源变
相关元件pdf下载：tda2002 c036 9011
膜电阻器或金属膜电阻器。 rpi和rp2选用有机实心电位器或可变电阻器。 cl和c2选用独石电容器或涤纶电容器;c3选用耐压值为16v的电解电容器。 vd选用1n4007型硅整流二极管。 vll和vl2均选用φ5mm的普通发光二极管，vll选用红色或黄色，vl2选用绿色。 vl选用s9012或3cg2l、bc214等型号的硅pnp晶体管;v2选用c8050或3dgl2型硅npn晶体管;v3选用s9013或3dg6型硅npn晶体管。 ic选用cd401l或cc4o1l、mcl401l、c036型四与非门集成电路。 k选用jrx-l3f型6v直流继电器。 湿度检测传感器可用两根10-l5cm的不锈钢丝制作。
c033→6反相器,c036→四2输入与非门,yd601→与非门电路都已淘汰了,建议不要用于设计手头有想玩玩则另当别论,不过扁平电路也不大好玩,脚太密了,不做印板不大好用.想好了一定要用就再回个帖,俺给你资料
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