速缓存，或者两者的某种组合。存储器是单片机的又一个重要组成部分，图6给出了一种存储容量为256个单元的存储器结构示意图。其中每个存储单元对应一个地址，256个单元共有256个地址，用两位16进制数表示，即存储器的地址（00h~ffh）。 当配置为高速缓存时，l1程序（l1p）是一个直接映射高速缓存，而l1数据（l1d）是一个双向指令集结合高速缓存。二级（l2）存储在程序与数据空间之间共享。l2存储也能配置为映射ram、高速缓存或者两者的某种组合。设计师可使用片上存储器为其项目增加特色。 c652还包括两个串行吉比特媒体独立接口（sgmii）以太媒体接入控制（mac）口和一个吉比特开关。此开关通过自动监控数据流以确保只有一个合适的ti将决策门加到所能的开关上，例如，用来辨别语音和数据通信，以提高多芯片设计的效率。如果dsp全部用于语音处理，就会阻止数据流进入，这样可更有效地使用其处理带宽。 c6?52上的其他i/o有一个66mhz pci接口或通用主机端接口（uhpi）；一个到外部存储器的双数据率（ddr2）接口；ti开发的专利串行通信接口vlynq;一个16位外部存储器接口（emi
相关元件pdf下载：an5551 c458 c2373 和日立cmt2988枕校电路相同的机型还有：日立25m8c、cmt2518、cmt2718、cmt2916、cmt2588、cmt2598、cmt2998、福日hfc2581、2586、2587、2986、2987等。 r617两端的约4v（峰-峰值）锯齿波电压，经c651、r651加到ic651的（1）脚，经其内部放大、积分处理后，从（2）脚输出约2v（峰-峰值）的下凹抛物波电压，再经c653、c652、r666积分后，由r657调节其抛物波的幅度，再经c655加到ic651的（7）脚，经内部放大、整形后从（8）脚输出上凸的抛物波电压，再经q652射极跟随、q651倒向放大后，在c727两端形成约9v（峰-峰值）的下凹抛物波电压，经l703送到行偏转线圈，对行偏转电流调制，校正了枕形失真。 r655为行幅调节电位器，r657为枕校调节电位器。imgload(document.getelementbyid('bodylabel'));
彩电枕校电路图四： 和日立cmt2988枕校电路相同的机型还有：日立25m8c、cmt2518、cmt2718、cmt2916、cmt2588、cmt2598、cmt2998、福日hfc2581、2586、2587、2986、2987等。 r617两端的约4v（峰-峰值）锯齿波电压，经c651、r651加到ic651的（1）脚，经其内部放大、积分处理后，从（2）脚输出约2v（峰-峰值）的下凹抛物波电压，再经c653、c652、r666积分后，由r657调节其抛物波的幅度，再经c655加到ic651的（7）脚，经内部放大、整形后从（8）脚输出上凸的抛物波电压，再经q652射极跟随、q651倒向放大后，在c727两端形成约9v（峰-峰值）的下凹抛物波电压，经l703送到行偏转线圈，对行偏转电流调制，校正了枕形失真。 r655为行幅调节电位器，r657为枕校调节电位器。 来源:university
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