CB11001A
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CB1102S11
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CB1102S11
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CB1105LVMR0FCPF
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CB1112-01634AB
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CB112-13
FAST RECOVERY DIODE
FUJI
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cb11型聚苯乙烯薄膜电容器的特点与cb10型电容器相同,只是引线方式有所不同。其外形如图所示,主要特性参数见下表。 图 cb11型聚苯乙烯薄膜电容器外形 表 cb11型聚苯乙烯薄膜电容器主要特性参数 来源:ks99
量选用市场流通量大的电容器。如选用批量较少的电容器,一旦电容器损坏,将无法再配到原型号的,使电子产品无法修复。 (6)不同电路选用不同性能的电容器 由于电路的多样化、电路的功能各异,为使电路工作的更好,能达到电路设计的要求,因此选用电容器时要符合电路性能的要求。 下面举例说明一些常见电路所使用的电容器,供参考。 1)对电视机、收录机、收音机等一般电路中的滤波、旁路、隅合用电容器可选用cd11型、cd13型、cd15型、cd27型、cd282型等铝电解电容器。也可选用cb1o型和cb11型等聚苯乙烯电容器。 2)对要求比较高的电路中,如:'高精密电子仪器仪表电路以及要求高稳定的混频电路,可选用ca42h型、ca70型、ca76型、ca40型、ca41型等固体钮电容,也可选用ca30型、ca31型、ca35型等液体钽电容。 3)对于高压电路可选用高压型瓷介电容器。如:cc81型、ct81a型、ct1b型、ct87型,也可选用cb80聚苯乙烯电容器。 4)对于高频电路可选用高频型电容器。如:cc1o型、cc1型、cc2型。 5)对于低频的隅合、旁路以及鉴频电路可选用ct1型
CB11型聚苯乙烯薄膜电容器的特点与CB10型电容器相同,只是引线方式有所不同。其外形如图所示,主要特性参数见下表。
图 CB11型聚苯乙烯薄膜电容器外形
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(pdf) 反相 12v -48v 0.1a 300khz pwm,外置fet、变压器 max1847 cb9 (pdf) 反相、多输出 12v -65v-24v 0.1a0.52a 250khz pwm、外置fet、变压器,slic电源 max1856 cb10 (pdf) 反相、多输出 5v -72v-24v 0.06a0.15a 250khz pwm、外置fet、变压器,slic电源 max1856 cb11 (pdf) 降压、多输出 24v 3.3v5v 7a1a 200khz pwm、外置fet max1864 cb12 (pdf) 降压、多输出 9v至16v 3.3v2.5v5v12v 1.8a1.4a0.3a0.5a 200khz pwm、外置fet max1865 cb13 (pdf) 降压、多输出 10v至18v 3.3v2.5v5v-5v 1.3a0.9a0.35a0.18a 200khz pwm、外置