CH250
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环形脉冲分配电路
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CH250S0080
Schottky Rectifier
ETC
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CH250S0080
RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,CHIP
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RECTIFIER DIODE,SCHOTTKY,CHIP
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动步进电机带动丝杠，将料仓里的药粉通过注粉头注入药瓶中。成品瓶再沿输出导轨送至压盖机。单片机按设守程序启动步进电机并使之迅速达到额定转速。只要精确控制转动步数，即可保证装量准确。利用8031提供4路能自动提升频率且上、下可调的步进脉冲，同时还对4路步进脉冲的个数加以统计，实现自动控制。3.2 步进电机驱动电路 步进机电驱动电路主要包括4路脉冲分配器、调制器和功率放大模块。图2为其中一路步进电机驱动电路的原理框图。8031和8155经过控制门输出脉冲信号，再通过光电耦合器隔离和电平转换，加至ch250脉冲分配器的时钟端。ch250是产生步进电机驱动信号的专用芯片。为配合75bf003型步进电极，ch250按三相六拍、正转方式工作。按传统统计，ch250需经复合晶体管构成的驱动电路来驱动步进电机，不仅体积大、而且功耗高、效率低。该系统采用脉冲调制式斩波驱动电路，用几十千赫的高频来调制三相六拍脉冲。利用高频下电机绕组的感抗明显增大的特性，来提高绕组上的压降及有效功率。该方案的优点是能提高驱动电源的效率，同时由于调制频率远高于脉冲频率，并不影响步进电机正常工作。功率模块由大功率vmos管构成。vm
如图所示为斩波式平滑驱动电路，它是由一片ne555时基电路构成频率与占空分别可调的100khz高频调制脉冲发生器。rp1,rp2依次为调整频率和占空比的电位器。ch250输出的三相六拍脉冲分别接至二输入端与非门cd4011的一个输入端，另一输入端则接调制脉冲。利用cd4011即可完成对信号的调制工作。再经过两片cd4069反相后，分别驱动vmos功率模块和三相状态指示灯（led1～led3）。 功率模块由大功率vmos管构成。vmos管具有输入阻抗高、驱动电流小，高频特性好、开关速度快、工作电流大、耐压高等优点。使用vmos功率模块能进一步提高驱动电源的效率，并可减小体积，增加可靠性。r1～r3为限流电阻，l1～l3表示步进电机的三个绕组。vd1～vd3均为续流二极管，断电时可吸收电机绕组中产生的反向电动势。c1～c3用于改善高频特性。 来源:qick
如图所示为恒频脉宽调制式驱动的电路图。图中，u1是20khz方波，作为d触发器的时钟信号cp,可保证a,b,c各相以相同的频率进行斩波。u2是ch250输出的步进信号，uref为比较器的参考电压，用以设定电机绕组电流il的恒流值。re为取样电阻。当u2有效时，若il<uref/re则d触发器的复位端r无效，使d触发器在u1方波作用下不断地被置"1",u3未进行斩波，此时vmos管导通。当il>uref/re时，比较器的输出变成抵电平，将d触发器复位，使vmos管截止；电机绕组因断电而产生的反向电动势，经rc和续流二极管泄放掉，可保护vmos管截止；电机绕组因断电而产生的反向电动势，经rc和续流二极管泄放掉，可保护vmos管不致损坏。该电路不仅保留了斩波式平滑驱动电路的优点，还引入了电流负反馈并采用恒频脉宽调制法，使步进电机的噪声得到有效地抑制，驱动电路的功耗亦显著地降低。该驱动电路的电源电压范围很宽，而限流电阻rl的阻值很小，功耗仅几瓦，其体积也大为减小。 在u1的下一个方波上升沿来到时，d触发器又被置“1”,vmos管再次导通，直至il达到设定值，即il=uref/rf,从
l5均选用1/4w金属膜电阻器。 rpl和rp2选用有机实心电位器或合成碳膜电阻器。 cl选用独石电容器;c2-c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vdl-vd3均选用ln5408型硅整流二极管;vd4选用1n400l型硅整流二极管;vd5-vd8均选用6a、600v的硅整流二极管。 ur选用la、5ov时整流桥堆。 vl-v3选用bu932或mjlo025型硅npn达林顿晶体管;v4选用s8050型硅npn晶体管。 icl选用cd4011型四与非门集成电路;ic2选用ch250型脉冲分配器集成电路;ic3-ic5均选用thw8778型电子开关集成电路;ic6选用lm7809型三端稳压集成电路。 k选用jrx-l3f型gv百流继电器，使用时将其两组常闭触头并联，以增大电流容量。 eh使用1oow以下的电热器。 yal-ya6均使用φo.18mm的漆包线在切φ20mm、长φ3omm的软铁心上绕850-1000匝后制成。安装时，各电磁铁应垂直安装，6只电磁铁环形排列着安装。yai和ya2相对着安装，ya3和ya4相对着安装，ya5和ya6相对着安装。 s1选用220
w金属膜电阻器。 rp1和rp2选用有机实心电位器或合成碳膜电阻器。 c1选用独石电容器；c2～c4均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vd1～vd3均选用1n5408型硅整流二极管；vd4选用1n400l型硅整流二极管；vd5～vd8均选用6a、600v的硅整流二极管。 ur选用1a、50v时整流桥堆。 v1～v3选用bu932或mj10025型硅npn达林顿晶体管；v4选用58050型硅npn晶体管。 ic1选用cd4011型四与非门集成电路；ic2选用ch250型脉冲分配器集成电路；ic3～ic5均选用thw8778型电子开关集成电路；ic6选用lm7809型三端稳压集成电路。 k选用jrx-13f型9v直流继电器，使用时将其两组常闭触头并联，以增大电流容量。 eh使用100w以下的电热器。 ya1～ya6均使用φ0.18mm的漆包线在φ20mm、长30mm的软铁心上绕850～1000匝后制成。安装时，各电磁铁应垂直安装，6只电磁铁环形排列着安装。ya1和ya2相对着安装，ya3和ya4相对着安装，ya5和ya6相对着安装。 s
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