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CMOS集成电路瞬态电流片外电流传感器电路
fault)等)。如图1所示，输入向量(测试向量)施加到被测集成电路的信号输入端，利用脉冲信号的上升沿和下降沿，cmos电路中的pmos和nmos晶体管会有瞬间的共同导通，这样就在电源(vod)和地(gnd)之间形成一条通路，此时会有相对比较大的电流流过，这个电流就是iddt。通过检测iddt的大小，便可知被测电路是否存在缺陷。 2电流传感器电路的改进文献[5]提出一种基于电荷测试的片外电流传感器电路，该电流传感器电路由4片高速电流反馈放大器(cfas)组成，使用clc449单片集成运算放大器作为基本组成单元。本文对文献[5]中的片外电流传感器电路进行改进，改进后的电路如图2所示。 2.1 电流读取放大单元(csa) 电流传感器电路通过测量连接在电源线上的采样电阻两端的电压降而获得瞬态电流，因此要求电流读取放大单元要有足够高的阻抗，以避免测试电路对被测集成电路供电电流的影响。利用运放u1和u2构成的电压跟随器电路为被测电路和u3构成的差分放大器电路的输入端提供阻抗隔离。为了提高传感器电路的稳定性，本文采用性能非常优良的仪用放大电路，增加了电阻r

CLC449
1.16Hz小信号带(AV＝+2)；2500V/μs转换速率；0.03%，0.02°DG，DF；6ns建立时间(达0.2%)；第3阶阻断，30dBm、70MHz；双±5V或单10V电源供电；高输出电流：80mA；2.5dB噪声系数

CMOS集成电路瞬态电流传感器电路
检测出一些经电压测试和iddq测试所不能检测的故障。如图1所示，输入向量（测试向量）施加到被测集成电路的信号输入端，利用脉冲信号的上升沿和下降沿，cmos电路中的pmos和nmos晶体管会有瞬间的共同导通，这样就在电源和地之间形成一条通路，此时会有相对比较大的电流流过，这个电流就是iddt.通过检测iddt的大小，便可知被测电路是否存在缺陷。 2电流传感器电路的改进文献[5]提出一种基于电荷测试的片外电流传感器电路，该电流传感器电路由4片高速电流反馈放大器（cfas）组成，使用clc449单片集成运算放大器作为基本组成单元。本文对文献[5]中的片外电流传感器电路进行改进，改进后的电路如图2所示。 2.1 电流读取放大单元（csa）电流传感器电路通过测量连接在电源线上的采样电阻两端的电压降而获得瞬态电流，因此要求电流读取放大单元要有足够高的阻抗，以避免测试电路对被测集成电路供电电流的影响。利用运放u1和u2构成的电压跟随器电路为被测电路和u3构成的差分放大器电路的输入端提供阻抗隔离。为了提高传感器电路的稳定性，本文采用性能非常优良的仪用放大电路，增加了电阻r12.

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