CY62148ELL-45ZSXI
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原装进口现货，假一罚十
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进口原装.假一罚十
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原装假一赔十QQ373621633
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原装进口现货
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原厂原装现货，假一罚十
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SOIC32/22+
原装
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原厂渠道团队，终端实力商家
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3320
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现货库存
CY62148
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只做原装更多数量在途订单
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原装现货
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原厂渠道，现货配单
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SOP32/-
大量现货，提供一站式配单服务
CY62148
512K x 8 MoBL Static RAM
CYPRESS
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CY62148
512K x 8 MoBL Static RAM
CYPRESS [Cypress Semiconductor]
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CY62148B
512K x 8 Static RAM
CYPRESS
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CY62148E
4-Mbit (512K x 8) Static RAM
Cypress Semiconductor
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CY62148V
512K x 8 MoBL Static RAM
Cypress
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CY62148BN
Cypress Semiconductor [4-Mbit (512K...
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CY62148-55
Cypress Semiconductor [512K x 8 Sta...
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CY62148-70
Cypress Semiconductor [512K x 8 Sta...
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CY62148ELL
Cypress Semiconductor [4-Mbit (512K...
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CY62148B_06
Cypress Semiconductor [4-Mbit (512K...
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层以及一部分传输层的数据处理，并通过通讯存储器来与上层软件交互。 本系统中mvb通信控制器采用mvbc01 asic专用芯片，符合iec61375-1国际标准。mvbc01专用芯片采用16位数据总线，提供了丰富的接口控制信号，简化了与各种宿主cpu以及通信存储器的接口设计，支持mvb协议中链路层及以下的功能。 2.4 通信存储器模块 通信存储器地址空间保存mvbc01的所有数据和信息，既可以被mvbc01访问又可以被arm处理器访问。本系统中采用两片512 kb大小的sram cy62148扩展成1 mb的寻址空间。通信存储器的寻址空间划分为4部分，分别为logical address space(la)，device addressspace(da)，service area(1 kb)和miscellany。 通信存储器分别通过数据线，地址线和arm处理器以及mvbc01相连，从而实现数据交换和地址寻址，arm处理器、mvbc01和通信存储器的连接示意图如图2所示。 mvbc01内部集成traffic memory controller(tmc)模块，负责控制通
链路层以及一部分传输层的数据处理，并通过通讯存储器来与上层软件交互。 本系统中mvb通信控制器采用mvbc01 asic专用芯片，符合iec61375-1国际标准。mvbc01专用芯片采用16位数据总线，提供了丰富的接口控制信号，简化了与各种宿主cpu以及通信存储器的接口设计，支持mvb协议中链路层及以下的功能。 2.4 通信存储器模块 通信存储器地址空间保存mvbc01的所有数据和信息，既可以被mvbc01访问又可以被arm处理器访问。本系统中采用两片512 kb大小的sram cy62148扩展成1 mb的寻址空间。通信存储器的寻址空间划分为4部分，分别为logical address space(la)，device addressspace(da)，service area(1 kb)和miscellany。 通信存储器分别通过数据线，地址线和arm处理器以及mvbc01相连，从而实现数据交换和地址寻址，arm处理器、mvbc01和通信存储器的连接示意图如图2所示。 mvbc01内部集成traffic memory controller(tmc)模块，负责控制通
chip enable，芯片使能） 这是器件的选择信号，虽然存在ce1和ce2两个信号，但它们是以and条件选择的。也就是说，只有当ce1为低电平且ce2为高电平时，器件才处于选择状态。如果不在选择状态，则其他输人引脚的状态将全部被忽略。存在极性不同的chip enable信号是为了处理方便。例如，电池各份时，因为主电源本身下降，与主电源连接的电路中就不能形成高电平，但是通过简单的下拉电阻，可以相对简单地保持低电平。 需要注意的是，在以相同引脚排列形式、且ce2引脚处于高位的4m位容量的cy62148中，因为ce2引脚被作为地址引脚使用了，因而chip enable就只能利用ce1。 如果将sram置于低功耗的待机状态，则需要注意¤可及ce2的电压。与在cmos电平的使用时相比，在使用ttl电平输人（高电平为2.4伏；低电平为0.8伏）时，损耗电流变得相当的大。例如，对于cy62128-55来讲，如果是cmos电平，则典型值为0.4μ，雨ttl电平就为25ma，相差一个数量级。因此，进行普通的电池备份时，将ce1／ce2设计在cmos栅极进行驱动，以便确保其为高电平。 4. o
产品型号:CY62148DV30LL-70ZSXI
位密度:4M
组织结构:512K x 8
最大工作电流(mA):3mA @ 1MHz 10mA @ fmax
最大静态电流(μA):8
工作电压(V):2.2~3.6
速度(ns):70
封装/温度(℃):32TSOP II/-40~85
价格/1片(套):暂无
产品型号:CY62148BLL-70ZI
位密度:4M
组织结构:512K x 8
最大工作电流(mA):20
最大静态电流(μA):20
工作电压(V):4.5~5.5
速度(ns):70
封装/温度(℃):32TSOP II/-40~85
价格/1片(套):暂无
来源:<...
产品型号:CY62148BLL-70SXI
位密度:4M
组织结构:512K x 8
最大工作电流(mA):20
最大静态电流(μA):20
工作电压(V):4.5~5.5
速度(ns):70
封装/温度(℃):32SOIC/-40~85
价格/1片(套):暂无
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