CZT3055
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SOT223/23+
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CZT3055
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SOT223/24+
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SOT223/24+
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CZT3055
15080
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CZT3055
2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SIL...
CENTRAL
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CZT3055
2.0W Surface Mount Complementary NPN...
KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]
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2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SIL...
CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
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CZT3055BK
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 6...
CENTRAL
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CZT3055NPN
2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SIL...
CENTRAL
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CZT3055NPN
2.0W SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SIL...
CENTRAL [Central Semiconductor Corp]
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体管电流增益b是有限的，那么，整个电路的电流增益为： (2) 设计时需考虑的因素 一个实用的电路设计必须考虑所采用的器件对性能的影响。扩流电路由晶体管、限流二极管(cld)和两个电阻组成。影响整个扩流电路性能的晶体管参数是其额定电流、基极-发射极(b-e)偏移电压和电流增益。对于限流二极管，主要是其限流数值。而对于两个电阻，重要的是其阻值和公差。由于器件参数会随温度变化，因此还必须考虑到温度的影响。 实验电路结果 做为实际的例子，我们在扩流电路中分别采用了npn czt3055和pnp czt2955晶体管，放大电阻r2采用200w，r1分别采用 0.5, 1, 2, 4 和8w。实验结果示于图3，其中给出的是稳定电流与稳定电压的关系。可以看出，当r1为0.5w时，ireg为1.5a，该数值是限流二极管cclh150额定电流15ma的100倍。做为对比，图3同时给出了限流二极管的ireg与 vreg之间的关系。 由于扩流电路的扩流能力随着晶体管电流增益b增大而增加，因此如果使用b值更高的晶体管(如达林顿晶体管)，扩流电路的限流值可以提高到1.5a以上。 结语
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