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ddc114th-7中文资料

  • 标准包装:

    3,000

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

  • 系列:

    -

  • 晶体管类型:

    2 个 NPN 预偏压式（双）

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

    100mA

  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

    50V

  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）:

    10k

  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）:

    -

  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):

    100 @ 1mA，5V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:

    300mV @ 100µA，1mA

  • 电流 - 集电极截止（最大）:

    -

  • 频率 - 转换:

    250MHz

  • 功率 - 最大:

    150mW

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    SOT-563，SOT-666

  • 供应商设备封装:

    SOT-563

  • 包装:

    带卷 (TR)

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DDC114IRTCT DDC112 DD60KB160 DD60HB160 DD313 DD311 DD2603 DD100KB160 DD100HB160 DD00022

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