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高压大功率器件
自掺杂效应；（2）热消耗小，所用时间短；（3）硅层的质量好，厚度可以弹性大，杂质导电类型和浓度可以自由选择。硅-硅直接键合技术已经用于制造出高反向击穿电压（1800v）igbts[42]。1995年，匈牙利的r. wiget用<111>硅片键合，然后在上面制备出品质优良的p-i-n二极管，其击穿电压为1400v，电流密度为2 a/mm2[43]。国内，1994年，第24所制备出了反向电压大于400v的vdmos器件；1995年，东南大学用硅-硅直接键合代替三重扩散工艺生产出性能较好的dk55双极功率器件。如今，东南大学也在研究用键合工艺制备反向击穿电压超过1500v的高压大功率p-i-n二极管。根据流片实验测的量结果发现，键合衬底制备的p-i-n二极管在性能上普遍要好于外延衬底，具体制备过程见第四章。硅-硅直接键合技术也已经用于静电感应器件的研制中，在早期主要是用键合衬底代替外延衬底，实验结果发现，提高了静电感应器件的击穿电压等电学性能。另外，利用硅-硅直接键合技术还可以代替外延工艺制备出键合掩埋栅静电感应器件[44]。图1.26 键合掩埋栅结构从理论，键合掩埋栅静电感应器

晶体管的选用经验
出管可选用2sd1433、2sd2253、2sd1432、2sd1941、2sd953、2sc3153、2sd1887等型号的晶体管。 5．开关三极管的选用小电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压低于100v，耗散功率低于1w，最大集电极电流小于1a，可选用3ck3、3dk4、3dk9、3dk12等型号的小功率开关晶体管。大电流开关电路和驱动电路中使用的开关晶体管，其最高反向电压大等于100v，耗散功率高于30w，最大集电极电流大于或等于5a，可选用3dk200、dk55、dk56等型号的大功率开关晶体管。开关电源等电路中使用的开关晶体管，其耗散功率大于或等于50w，最大集电极电流大于或等于3a，最高反向电压高于800v。一般可选用2sd820、2sd850、2sd1403、2sd1431、2sd1553、2sd1541等型号的高反压大功率开关晶体管。 6．达林顿管的选用达林顿管广泛应用于音频功率输出、开关控制、电源调整、继电器驱动、高增益放大等电路中。继电器驱动电路与高增益放大电路中使用的达林顿管，可以选用不带保护电路的中、小功率普通达林顿

荧光灯电子镇流器三
电路振荡工作，vl和v2交替导通，由t2的w5绕组、电感器l和电容器c3、c4为荧光灯管el提供工作电压，使el启辉点亮。高频振荡电路振荡工作后，c2经rl放电，使v3截止。 r6和c5对灯丝有预热作用。元器件选择 rl-r3和r6选用1/4w金属膜电阻器或碳膜电阻器;r4和r5均选用lw金属膜电阻器。 cl选用耐压值为450v的铝电解电容器;c2-c5均选用耐压值为630v的cbb无感电容器。 vd1-vd5均选用1n4007型硅整流二极管。 vl和v2选用mjel3005或dk55型硅npn晶体管;v3选用db3或2cts2型双向触发二极管。 l用φ0.3-φ0.35mm的高强度漆包线在内φommx25mm的磁棒上密绕310匝。 t1用φ0.4的塑皮铜线在φ6-φ8mm的磁环上穿绕12匝 (wl和w2绕组各绕12匝);t2用φ0.4mm的塑皮铜线在内孔为φ8-φ1omm的磁环上穿绕 (w3和w4绕组各绕2匝，w5绕组绕8匝)制成。
荧光灯电子镇流器一
辉点亮。ell和e愧点亮后，其灯丝内阻急剧下降，c9和clo两端的高启辉电压下降为正常值，维持荧光灯管的正常发光。元器件选择 rl-r7选用1/4w的碳膜电阻器或金属膜电阻器。 cl和c2均选用耐压值为250v的优质铝电解电容器;c3和c4均选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c5、c7和c8选用耐压值为630v的涤纶电容器或cbb无感电容器;c6和c9、clo选用耐压值为10oov的cbb无感电容器。 vdl-vd8均选用1n4007型硅整流二极管。 v1和v2选用mjel3005或dk55、bu406型硅npn晶体管 (便用时应加装散热片)。 ll和l2采用ei-16铁心，用φ2lmn，的高强度漆包线绕250匝左右。 t用φo.5mm的塑皮铜线在φ1omm的磁环上绕制而成:wl和w2绕组各绕3匝，w3绕组绕4匝。
荧光灯电子镇流器
ll和el2点亮后，其灯丝内阻急剧下降，c9和clo两端的高启辉电压下降为正常值，维持荧光灯管的正常发光。元器件选择 rl-r7选用1/4w的碳膜电阻器或金属膜电阻器。 cl和c2均选用耐压值为250v的优质铝电懈电容器;c3和c4均选用耐压值为5ov的铝电解电容器;c5、c7和c8均选用耐压值为630v的涤纶电容器或cbb电容器;c6和cg、cio选用耐压值为i0oov的涤纶电容器或高频瓷介电容器。 vdl-vd8均选用1n4007型硅整流二极管。 vl和v2选用mjel3005或dk55型达林顿晶体管 (使用时应加装散热片)。 l1和l2采用ei-16铁心，用φ2lmm的高强度漆包线绕250匝左右;l3-l5用φo.5mm的塑皮铜线在们φ10mm的磁环上绕制，馅和门各绕3匝，历绕4匝。
荧光灯电子镇流器五
的交变高频电压，此电压经c4、ll加在el的灯丝上，当c5两端电压达到el的放电电压时，el启辉点亮。元器件选择 rl、r2、r5和r6均选用1/4w金属膜电阻器;r3和r4均选用lw金属膜电阻器 (8-12w的电子镇流器为2.2ω，16-26w的电子镇流器为4·7ω)。 cl选用耐压值为400v以上的铝电解电容器;c2-c5均选用耐压值为630v以上的cbb无感电容器 vdl-vd7均选用1n4007型硅整流二极管。 vl和v2选用mjel3003或mjel3005、butlla、dk55等型号的硅npn晶体管。 l用2mmx4mm的e形磁心和φo.2l一φo.23mm的高强度漆包线绕制 (磁心粘合时应垫上φ0.3mm，的纸片):8w-z0w的电子镇流器绕200匝，22w的电子镇流器绕190匝，26w的电子镇流器绕180匝(用3只串联使用时需用3只串联起来)。 t用φo.2mm的塑皮铜线在们φ10mm，的磁环上穿绕制成:对于8w的电子镇流器，wl和w2绕组各绕1匝，w3绕组绕7匝;对于12-2ow的电子镇流器，wl和w2绕组各绕2匝，w3绕组绕6匝;对于22w的电子镇流器，w

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