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大存储空间高精度数字中频面目标模拟器设计

am。其工作过程为：第n-1触发周期内从flash存储器读出数据写入a，延时时刻到达后b中的数据输出给d／a转换器；第n触发周期内从flash存储器读出数据写入b，延时时刻到达后a中的数据输出给d／a转换器；依此循环往复进行。这样数据的转存和输出分隔开来，互不影响，只要flash存储器的速度满足在一个触发周期内把一条回波数据输出完毕就可以确保回波依次输出。这就大大降低了对flash存储器的要求，降低了设计成本。 基于以上思想，设计中选择两片intel公司大容量strata flash存储器e28f256j3a-150作为数据存储器。该flash芯片具有写缓冲(write buffer)模式和异步页读(asynchronous page mode)模式，数据宽度可在8 bit和16 bit之间选择。当该芯片工作在异步页读模式时，其最快的单个数据平均读出时间为56.25 ns，在脉冲重频周期为100μs时，一个周期内可完成1 777个数据点的转存，满足系统设计要求。同时，它的写缓冲模式使得它具有较快的写入速度，每片高达256 mbit的容量使得i、q两路各用1片即可存储所有数据。 2.2 数据加载 数据