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fca22n60n中文资料

  • 特色产品:

    FCPF22N60NT Super-Junction SupreMOS? MOSFETs

  • 标准包装:

    30

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    SupreMOS™

  • FET 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    600V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    22A

  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:

    165 毫欧 @ 11A,10V

  • Id 时的 Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    45nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    1950pF @ 100V

  • 功率 - 最大:

    205W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商设备封装:

    TO-3PN

  • 包装:

    管件

  • 飞兆推出新一代超级结MOSFET-SupreMOS

    飞兆半导体公司 (fairchild semiconductor)为电源、照明、显示和工业应用的设计人员带来supremos新一代600v超级结mosfet系列产品。包括具有165mω最大阻抗的 fcp22n60n、fcpf22n60nt 和 fca22n60n,以及具有199mω最大阻抗的fcp16n60n和fcpf16n60nt。supremos系列器件兼具低rds (on) 和低总栅极电荷,相比飞兆半导体的600v superfet mosfet,品质因数(figure of merit, fom,即 rds (on) × qgd )降低了40%。supremos器件具有业界最佳的反向恢复特性di/dt和dv/dt,可以提高开关电源(smps)中谐振转换器、llc和移相(phase-shifted)全桥拓扑的可靠性。 相比superfet mosfet器件,supremos600v超级结mosfet在相同rds(on)下提供了更低的栅级电荷,并且具有出色的开关性能,能够将开关和传导损耗减少20%,从而提高效率。另外,supremos器件具有较低的输入和输出电容,能够提高轻负载条件下的

fca22n60n替代型号

FCA20N60 FC72 FC54C FC54B FC-518LS FC-515 FC30 FC2550 FC232 FC211

FCAS20DN60BB FCAS30DN60BB FCAS50SN60 FCBS0550 FCBS0650 FCD4B14 FCH10A15 FCH10U10 FCH30A10 FCH47N60

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