FGP20N6S2
8000
21+/2024+
原装现货,支持BOM配单
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TO220/23+
终端可以免费供样,支持BOM配单
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原厂渠道,现货配单
FGP20N6S2
8000
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原装现货,支持BOM配单
FGP20N6S2
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N/A/1808+
原装正品,亚太区混合型电子元器件分销
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公司现货,进口原装热卖
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1378
-/22+
公司现货,进口原装热卖
FGP20N6S2
540030
DPAK(TO/22+
可查官网https//www.icscjh.com/
FGP20N6S2
9000
TO220AB/2024+
原厂渠道,现货配单
FGP20N6S2
75000
NEW/NEW
一级代理保证
FGP20N6S2
24000
SMD/21+
全新原装现货特价热卖
FGP20N6S2
41101
16+/-
大量现货,提供一站式配单服务
FGP20N6S2
10000
TO2203/-
原装现货,可开票,提供账期诚信服务
FGP20N6S2
1200
16+/17+
代理直销,公司原装现货供应
FGP20N6S2
5000
TO220/25+
国产品牌isc,替代进口
FGP20N6S2
600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FAIRCHILD
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600V, SMPS II Series N-Channel IGBT
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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600V, SMPS II Series N-Channel IGBT ...
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c是 pfc 电路rms输入电压;vout是直流输出电压。 在实际应用中,计算igbt在类似pfc电路中的传导损耗将更加复杂,因为每个开关周期都在不同的ic上进行。igbt的vce(sat)不能由一个阻抗表示,比较简单直接的方法是将其表示为阻抗rfce串联一个固定vfce电压,vce(ice)=ice×rfce+vfce。 图5中的示例仅考虑了ccm pfc电路的传导损耗,即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15w。以fcp11n60 mosfet为例,该电路被限制在5.8a,而fgp20n6s2 igbt可以在9.8a的交流输入电流下工作。它可以传导超过mosfet 70% 的功率。 虽然igbt的传导损耗较小,但大多数600v igbt都是pt (punch through,穿透) 型器件。pt器件具有ntc (负温度系数)特性,不能并联分流。igbt 在开通过程中,大部分时间是作为mosfet 来运行的,只是在漏源电压uds 下降过程后期, pnp 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间, tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通