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c是 pfc 电路rms输入电压;vout是直流输出电压。 在实际应用中,计算igbt在类似pfc电路中的传导损耗将更加复杂,因为每个开关周期都在不同的ic上进行。igbt的vce(sat)不能由一个阻抗表示,比较简单直接的方法是将其表示为阻抗rfce串联一个固定vfce电压,vce(ice)=ice×rfce+vfce。 图5中的示例仅考虑了ccm pfc电路的传导损耗,即假定设计目标在维持最差情况下的传导损耗小于15w。以fcp11n60 mosfet为例,该电路被限制在5.8a,而fgp20n6s2 igbt可以在9.8a的交流输入电流下工作。它可以传导超过mosfet 70% 的功率。 虽然igbt的传导损耗较小,但大多数600v igbt都是pt (punch through,穿透) 型器件。pt器件具有ntc (负温度系数)特性,不能并联分流。igbt 在开通过程中,大部分时间是作为mosfet 来运行的,只是在漏源电压uds 下降过程后期, pnp 晶体管由放大区至饱和,又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间, tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通