FM1112
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FM1112
2000
SMD/25+
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FM1112
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SMD/-
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FM1112B-QG
10000
QFN16/22+
全新进口原装现货假一赔十
FM1112-QG
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QFN16/23+
全新原装现货/实单价格支持/优势渠道
FM1112-QG
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原装现货,当天可交货,原型号开票
FM1112-QG
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QFN16/2025+
全新原装、公司现货热卖
FM1112-QG
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QFN16/23+
柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
FM1112-QG
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全新原装货
FM1112-QG
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QFN16/2017+
原装 部分现货量大期货
FM1112-QG
8300
QFN16/21+
原装正品假一赔十
FM1112
Nonvolatile 3V Quad State Saver
RAMTRON [Ramtron International Corporation]
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FM1112-QG
Nonvolatile 3V Quad State Saver
RAMTRON [Ramtron International Corporation]
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存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 f-ram技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。 fm111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5v的fm1110;以及工作电压为3v的fm1112 和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于.5μa的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。 ram
失性铁电存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation最近宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位f-ram技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。 fm111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5v的fm1110;以及工作电压为3v的fm1112和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于0.5μa的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。 ramtro
易失性铁电存储器 (f-ram) 和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 f-ram技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。 fm111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5v的fm1110;以及工作电压为3v的fm1112 和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于.5µa的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。 ra
0.01A/25V
非易失性铁电存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation最近宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位f-ram技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。 fm111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5v的fm1110;以及工作电压为3v的fm1112和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于0.5μa的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。 ramtron技
全球领先的非易失性铁电存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 f-ram技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。 fm111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5v的fm1110;以及工作电压为3v的fm1112 和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于.5μa的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。 ramtron技术市务
非易失性铁电存储器(f-ram)和集成半导体产品开发商及供应商ramtron international corporation最近宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位f-ram技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。 fm111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5v的fm1110;以及工作电压为3v的fm1112和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于0.5μa的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。 ramtron
ramtron international corporation宣布扩展其非易失性状态保存器系列,推出4位状态保存器,以4位 f-ram技术为基础,无需耗电即可保存逻辑状态,并在上电时自动恢复输出。任何状态改变均会自动记录在非易失性的铁电锁存内,这是因为f-ram存储器技术具备独特的高速写入能力和低功耗特性,以及极高的耐用性。 fm111x 4位状态保存器目前有三款产品:即工作电压为5v的fm1110;以及工作电压为3v的fm1112 和fm1114。fm111x系列的操作类似传统的逻辑构件,使用起来就像双锁存或d型触发器一样简单,但在断电时可自动存储和保持逻辑状态,从而简化系统控制功能在各种应用中的设计,包括开关接口、转换寄存器、继电器驱动器、led驱动器、错误标记记录、掉电状态检测、防拆指示器、开门指示器、电机开/关控制、替换拨码开关、替换跳线器及其它非易失性逻辑电路。fm1114的独特之处在于具有低于.5µa的超低待机电流,因而适用于便携式、电池供电及低功耗应用,如八进制锁存和非易失性计数器等。 这种低功耗非易失性状态保存器是一个逻辑构件,无需读取存储器就可以对非易