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≤ 1. 5 三阶交调: 优于30 db 杂波抑制: 优于50 dbc 传输码速率: ≥300 mbps 1.2设计方案与电路形式选择 依据技术指标要求并考虑到设备的小型化、模块化,功放的设计方案采用与国际上一致的流行做法,即前级用mmic集成电路获得增益,末级采用分离式结构以获得需要的功率。电路形式采用广泛使用的微带结构形式以便于集成,其框图如图1所示。 图1放大器组成 为实现增益大于34db的要求,放大器前级的增益要尽可能地高,因此选用了富士通公司的fmm5057vf作为第一级。fmm5057vf是mmic芯片,输入输出内匹配,工作频率为7.7~8.5ghz,其增益典型值为26db。第二级主要是从输出功率进行考虑,为了能够满足指标,后级采用了p1db大于40dbm的富士通公司的flm7185场效应管。为了避免自激及保护功放芯片,输入输出均加了隔离器,输入端选用成都泰格公司的g602ev微带式隔离器,其插损<0.3db,隔离度>23db,通过功率>5w。输出端选用成都泰格公司的tgg502b71n隔离器,其一端fd型穿墙微带,一端为n50k型