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FQP55N10 100V N-Channel MOSFET FAIRCHILD FQP55N10PDF下载
FQP55N10 MOSFET N-CH 100V 55A TO-220 FQP55N10PDF下载
FQP55N10 100V N-Channel MOSFET FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] FQP55N10PDF下载

fqp55n10价格行情

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历史最低报价：￥0.4500 历史最高报价：￥12.0000 历史平均报价：￥3.4858

型号厂家封装批号数量日期价格
FQP55N10 FAIRCHILD 09+ 94000 2010/6/28 13:16:02 0.4500/pcs
FQP55N10 FAIRCHILD TO-220 2010 10000 2011/10/25 16:40:00 0.8000/pcs
FQP55N10 55000 FAIRCHILD TO-220 一手货源 2011/11/5 19:47:17 1.2000/pcs
FQP55N10 FAIRCHILD 07+ 10000 2010/3/25 11:36:34 1.5000/pcs
FQP55N10 FSC 5000 0 08+ 2010/6/22 15:53:10 1.7000/pcs
FQP55N10 2008/10/18 0:00:00 1.7000/pcs
FQP55N10 TO-220 10000 2010/6/22 16:09:57 1.8000/pcs
FQP55N10 35000 TO-220 09+ FAIRCHILD/HARRIS 2010/6/28 13:07:32 1.9000/pcs
FQP55N10 FSC TO－220 07＋ 2008/9/5 0:00:00 1.9000/pcs
FQP55N10 FAIRCHILD TO-220 06+ 300 2011/10/25 16:28:44 2.0000/pcs

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产品培训模块:
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装:
50
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
QFET™
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
55A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
26 毫欧 @ 27.5A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
2730pF @ 25V
功率 - 最大:
155W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-220-3
供应商设备封装:
TO-220
包装:
管件

2010年6月23日维库电子市场网IC报价
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FQP6N80C FQP6N90C FQPF12N60C FQPF18N20V2 FQPF18N50V2 FQPF5N60 FQV251 FR101 FR102 FR103

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标准包装:

类别:

家庭:

系列:

FET 型:

FET 特点:

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电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

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功率 - 最大:

安装类型:

封装/外壳:

供应商设备封装:

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