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件,而普通pfc 电路的电感电流则通过3个半导体器件。 表1所示,无整流轿的pfc用一个mosfet的体二极管来代替普通pfc 电路的两个较慢恢复二极管。曲于这两个电路都作为升压变换器,因此它们的开关损耗是一样的。 在这两个电路中,尽管效率都有所改善,但导通损耗是不同的。与普通的pfc相比,无整流桥的pfc不仅减低了导通损耗,而且减少了元器件。 为了估计无整流桥pfc电路效率的提高,戍原理分析比较其损耗。此电路选开关是一个22a, 600v的结型mosfet,升压二极管选择的是gbpc2506w, 25a、600v,用这些器件导通损耗模型的方法画出这些器件的导通损耗曲线。由于电感电流是瞬时的,只能画出这两种器件在90v输人电压和不同输出功率下的导通损耗曲线。两种pfc 电路二极管抿耗比较如图3所示。 对于整个功率范围,无整流桥的pfc在满功率的水平能将总效率提高1 %。考虑到 mosfet 的导通电阻很小,用同步整流方式的mosfet,可以进一步减小损耗。mosfet -b通损耗的*估是基于其较低的体二极管压降和导通电阻。两种 pfc 电路mos损耗比较如图4所示,这两种情况的功