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以上；（4）能体现sith管的优势，避开其弱点。 这里采用了boost变换程式（图1）。图中 r1：1kω；r2：20ω；r3：10kω；r 4：5kω；r5：5kω；r6：800kω；r7：10k ω；r8：20kω；r9：1mω；r10：0.2 ω；r11：50kω；r12：10kω；c1：0.01mf；c2：200pf； c3：0.1mf；c4：50mf；c5：100mf/400v； c6：2mf/~250v；c7：2000pf；d1：12v/0.5w稳压二极管；d2： 3a快恢二极管her308； d3、d6：2a/400v整流桥；q1、q3：npn三极管8050；q2：pnp三极管8550；q4：vdmos 10a/30v；l1：2mh/ 1a高频电感；l2：2mh/ 1a高频电感；ic：uc3852。 uc3852的详细工作原理请参阅texas instruments公司有关资料。要着重指出的是， uc3852是一种专门用来提高输入功率因数的开关电源控制芯片，它的基本原理是在远高于50周的频率下工作， 控制开关管以一个恒定的时间ton导通，导通时电感l2承
密度， 单位为g (高斯wb/cm2)。 4 实验结果 目前， 笔者采用该技术成功地设计出了一种输入范围为120～800 v， 输出功率为20 w的辅助开关电源。 本设计采用直流120～800 v输入， 输出单路为20 v/1 a， 其实验的工作频率f为100 khz， 主变压器选用pc40 ee25高频磁芯， 驱动隔离变压器选用t57 r12.5×7.5×5高频脉冲变压器磁芯， 主开关vt1 和vt2 选用apt 4m120k n沟道mosfet，钳位二极管vd1和vd2选用her308肖特基二极管， 整流二极管vd3选用cq504， 保护电路开关管vd4选用irf9640 p沟道mosfet。 5 结束语 实验证明， 由于本设计采用了反激式拓扑结构， 因此， 电路工作稳定度好。这种结构的特点是整个电路使用元器件少， 本身固有效率高(典型效率为80%)， 采用单片开关控制， 整体设计比较经济， 又因为和主功率回路分开， 从而避免了相互干扰， 提高了可靠性。 来源:风里来雨里去
电流参数：IF(AV)=3A/IFSM=150A/IR=10μA电压参数：URRM=1000V/URMS=700V/UDC=1000V/UF=1.85V其他参数：trr=70ns备 注：超快速整流二极管(IF(AV)为Ta=50℃值)
高效率整流二极管,1000V,3A
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