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hgtg11n120cn中文资料

  • 产品培训模块:

    High Voltage Switches for Power Processing

  • 标准包装:

    150

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    IGBT - 单路

  • 系列:

    -

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:

    1200V

  • Vge, Ic时的最大Vce（开）:

    2.4V @ 15V，11A

  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:

    43A

  • 功率 - 最大:

    298W

  • 输入类型:

    标准型

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商设备封装:

    TO-247

  • 包装:

    管件

  • HGTG11N120CN近期市场行情分析

    据各电子网反映，hgtg11n120cn型号近期的关注度较前几个月有一定程度的上升，但是交易量仍没有太大起色，不少买家还是持观望态度，其原装现货价格在12元/pcs上下浮动，而进口货价格较高，约为24元/pcs. 基本参数： 品牌：仙童fairchild 种类：结型(jfet) 沟道类型：n沟道 导电方式：增强型 用途：nf/音频(低频) 封装外形：p-dit/塑料双列直插 材料：igbt绝缘栅比极 开启电压：1200（v） 夹断电压：1200（v） 低频跨导：1（μs） 极间电容：1（pf） 低频噪声系数：1（db） 最大漏极电流：11（ma） 最大耗散功率：11（mw） 功能特性： 3,1200 v,tc = 25度 soa?1200 v转换能力 典型的秋天时间。340年?ns = 150 oc在强烈的 短路评级 低传导损失 雪崩额定 热阻抗香料模型 温度补偿模型 为焊接表面贴装元件的pc板

hgtg11n120cn替代型号

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