HMC617LP3
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HMC617LP3ETR
RF Amplifier IC General Purpose 550M...
HMC617LP3ETRPDF下载
同样是一款针对5.9ghz至*ghz频段设计的lna。虽然它的1db压缩点输出功率只有+18dbm，但它拥有1.6db的低噪声系数，工作在+12v直流电源下的消耗电流仅为120ma。 ctt公司的lna采用了gaas phemt技术，工作频带为0.5ghz至20.0ghz。ctt公司的am系列lna包括了增益为22db的amm/020-1022，这个放大器的噪声系数是1db，工作频带为0.5ghz至2.0ghz。 hittite microwave公司推出了芯片型和封装好的lna，如hmc617lp3。这个lna采用qfn封装，尺寸只有3x3mm。该lna采用gaas phemt半导体技术制造，工作频带为550mhz至1200mhz，具有0.5db的低噪声系数和16db的增益。 adi公司的adl5521 lna同样采用gaas phemt技术制造，工作频带为0.4ghz至4.0ghz，并采用了3x3mm lfcsp封装。该器件在900mhz时的噪声系数为0.8db，典型增益为20.8db。 mini-circuits公司提供了一款表面贴封装的lna模块，型号为*p-960ln+
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