储容量为32 mb,工作电压为2. 65~ 3. 6 v,数据宽度为16 b,并以16 b( 字模式) 数据宽度的方式工作。 ②sdram 存储器作为程序的运行空间,如前所述,sdram 的存储单元可以理解为一个电容,总是倾向于放电,为避免数据丢失,必须定时刷新( 充电) 。由此可见,要在系统中使用sdram,就要求微处理器具有刷新控制逻辑,或在系统中另外加入刷新控制逻辑电路。本控制器采用的控制芯片具有用sdram 刷新控的制逻辑,可以直接与sdram 接口连接。sdram 存储器芯片采用hy57v281620hg,单片存储容量为4 组! 32 mb,工作电压为3. 3 v,数据宽度为16 b。本控制器采用2 片16 b 数据宽度的hy57v281620hg 并联为32 b数据宽度的sdram 存储系统。 ③nand flash 作为系统的数据存储器,芯片采用k9f1208u om yib0,存储容量为64 mb,数据总线宽度为8 位,工作电压为2. 7~ 3. 6 v。为了提高控制芯片的驱动能力,在这部分设计中加入了74hc245 总线驱动器,74hc245 提供双向总线驱动,主要使用在数据的双向