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HIGH AND LOW SIDE DRIVER
IRF
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IRF [International Rectifier]
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IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
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IR2110STRPBF
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inver...
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d1、vmid2、vmid3。对于此三种电压,由于不知在此电压输出之前out端的电压与要输出的电压之间的大小关系,故采用上拉下顶的箝位技术,将out端电位箝位到要输出的电压,故vmid1、vmid2、vmid3模块需要两个控制信号。而vmax是最高电压,vmin是最低电压,它们与out端电压的关系分别已确定,故无需采用箝位技术,只需一个控制信号。 图4示出vmid1电压产生模块的内部电路原理图。 图4 vmid1电压产生模块内部电路原理图 该驱动电路采用电压转换芯片ir2110s,将5v的逻辑电压转换为15v的高压开关管控制电压。mh1和ml1采用高速nmos开关管irfz44n实现传输控制,mh2和ml2采用高耐压noms开关管irf840实现高压输出控制。 输入信号sig1控制ir2110s的上通道输出hout。在rh1、ch1和txh的共同作用下,hout信号传输到txh的原边,进一步耦合到txh的副边,并利用nmos管mh1和二极管dh1进行传输控制。当控制信号为高,mh2导通,高压v1由其漏极传输到其源极并输出。下通道工作原理基本相同,高压v1由其