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TO3/2025+
固电半导体，33年国产工厂，可替代进口
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军用单位指定合供方/只做原装,自家现货
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假一罚万，原厂原装有COC，长期有订货
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原装现货，可开专票，提供账期服务
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原装现货终端免费提供样品
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原装现货，可提供一站式配套服务
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TO3/2025+
一级代理品牌，价格优势，原厂原装，量大可以发货订
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优势产品大量库存原装现货
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全新原装现货，长期供应，免费送样
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原装现货
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只做原装，提供一站式BOM表电子配单服务
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TO3/24+
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TO3/09+
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TO3P/22+
只做原装进口现货，专注配单
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TO3P/23+
十年配单，只做原装
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大量现货，提供一站式配单服务
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TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds...
IRF
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IRF360
TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds...
IRF [International Rectifier]
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主电路还是老一套，因为容量小，才用了4只irf360（25a／400v）作为全桥四臂，反馈取样都还是一样，主变取tdk／ei70磁心，整流管取ir的肖特基管400a／100v，全波整流。工作频率110khz。 所不同的是输出滤波电感量很大，达120微亨。二次逆变采用全桥输出，开关管选择ixys公司的场效应管ixfn75n10，每臂6只。满载压降仅为1.3v,因此散热器不太大。 控制采用uc3825，直接驱动脉冲变压器的100a铝焊机，是交直流方波输出的，电压为12v，电流为200a，调制频率400－1500hz。 为什么要使用低压场效应管全桥作为二次逆变？而不是通常的半桥igbt逆变？ 这是因为： 1. 从静态功耗上计算，尽管低压场效应管全桥是两管串联导通，但是低压场效应管导通电阻极低，相比之下压降还是比igbt要低。另外，低压场效应管全桥只须全波整流即可，少了一个二极管压降。不仅如此，还采用了比正常电压高得多的驱动电压，达18v，正常情况下，场效应管只须7v左右就可以了。但是要知道低压场效应管和高压场效应管是有区别的，他们的导通电阻成分比例不一样。低压的主要是沟
25.0A/400V
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