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IRFP264 Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=0.07... IRF IRFP264PDF下载
IRFP264 Standard Power MOSFET - N-Channel En... IXYS IRFP264PDF下载
IRFP264 HEXFET? Power MOSFET IRFP264PDF下载
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IRFP264N Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mo... IRF IRFP264NPDF下载
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IRFP264PBF MOSFET N-CH 250V 38A TO-247AC IRFP264PBFPDF下载
IRFP264PBF HEXFET Power MOSFET IRF [International Rectifier] IRFP264PBFPDF下载
IRFP264NPBF HEXFET Power MOSFET IRF [International Rectifier] IRFP264NPBFPDF下载
IRFP264, SiHFP264 Power MOSFET Vishay Intertechnology IRFP264, SiHFP264PDF下载

irfp264价格行情

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历史最低报价：￥2.3500 历史最高报价：￥20.0000 历史平均报价：￥6.7313

型号厂家封装批号数量日期价格
IRFP264 IR/哈里斯/仙童 TO-247 05+/06+ 2009/5/8 0:00:00 2.3500/pcs
IRFP264 IR TO-3P 2009/5/8 0:00:00 2.5000/pcs
IRFP264 IR TO-3P 400 2012/9/12 14:27:25 2.6000/pcs
IRFP264 IR TO-3P 07+ 2009/5/8 0:00:00 2.8000/pcs
IRFP264 IR TO-3P 2009/5/8 0:00:00 2.8000/pcs
IRFP264 IR TO-247 1000 2012/9/12 14:49:14 4.0000/pcs
IRFP264 IR TO-3P 07+ 30 2010/8/10 9:04:22 4.0000/pcs
IRFP264 2009/2/27 0:00:00 4.0000/pcs
IRFP264 IR TO-3P 09+ 1000 2012/9/12 13:41:34 4.5000/pcs
IRFP264 TO-247 2010 2010/8/9 10:29:24 4.5000/pcs

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标准包装:
30
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
-
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
标准型
漏极至源极电压(Vdss):
250V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
38A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
75 毫欧 @ 23A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
210nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4800pF @ 25V
功率 - 最大:
280W
安装类型:
通孔
封装/外壳:
TO-247-3
供应商设备封装:
TO-247AD
包装:
管件
其它名称:
IRFP264X

IRFP264原装供应紧张市场价格紊乱
irfp264基本参数：所属类别：晶体管品牌：ir 封装：to-220 fet型：mosfet n通道，金属氧化物 fet特点：标准型开态rds（最大）@ id, vgs @25°c：75毫欧@23a, 10v 漏极至源极电压(vdss)：250v 电流-连续漏极(id) @25°c：38a id时的vgs(th)（最大）：4v @ 250μa 闸电荷(qg) @ vgs：210nc @ 10v 在vds时的输入电容(ciss)：5400pf @ 25v 功率-最大：280w 安装类型：通孔包装：管件 irfp264价格分析：根据各大电子网站搜索排名，irfp264近期改装所报参考价区间为：2.8元/pcs~8.5元/pcs。据各大商家反映，该型号近期市场需求比较旺盛，询价的较多。目前该型号原装供应比较紧张，市面上拆机或改装的货比较繁多，故价格也比较紊乱。
晶体管IRFP264近期价格较紊乱
据各大商家反映，晶体管irfp264型号近期市场需求比较旺盛，询价的较多。目前该型号原装供应比较紧张，市面上拆机或改装的货比较繁多，故价格也比较紊乱。改装所报参考价区间为：2.8元/pcs~8.5元/pcs。基本参数：型号：irfp264 所属类别：晶体管品牌：ir 封装：to-220 fet型：mosfet n通道，金属氧化物 fet特点：标准型开态rds（最大）@ id, vgs @25°c：75毫欧@23a, 10v 漏极至源极电压(vdss)：250v 电流-连续漏极(id) @25°c：38a id时的vgs(th)（最大）：4v @ 250μa 闸电荷(qg) @ vgs：210nc @ 10v 在vds时的输入电容(ciss)：5400pf @ 25v 功率-最大：280w 安装类型：通孔包装：管件

MOSFET的实际击穿电压一般比额定值能高出多少？
mosfet的实际击穿电压一般比额定值能高出多少？我买了irfp264（250v38a）准备用在280v左右，占空比非常小1/30，而且导通时间非常短（ns级），几乎刚刚导通就关闭（大部分时间处于关闭，280v加在管子上），请问有经验的朋友，这种情况下工作是否容易击穿烧掉？注：280/250=1.12，而300/250才=1.2

IRFP264PBF IRFP27N60KPBF IRFP31N50L IRFP350 IRFP360 IRFP3710 IRFP4232 IRFP4232PBF IRFP4242PBF IRFP450

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