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当前位置：维库电子市场网>IC>irfs3006pbf 更新时间:2026-05-24 13:20:50

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irfs3006pbf中文资料

  • 标准包装:

    50

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    195A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    2.5 毫欧 @ 170A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    300nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    8970pF @ 50V

  • 功率 - 最大:

    375W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

  • 供应商设备封装:

    D2PAK

  • 包装:

    管件

  • IR推出全新基准MOSFET，将封装电流额定值提升了60%

    t系列提供60v至200v的电压，并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(msl1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (rohs) 。 产品基本规格如下： 器件编号 通道 类型 bvdss(v) rds(on) (mω) 在25ºc 下id (a) qg (nc) 封装 irfb3006pbf n 60 2.5 195* 200 to-220 irfs3006pbf n 60 2.5 195* 200 d2pak irfs3006-7ppbf n 60 2.1 240* 200 d2pak-7 irfs3107pbf n 75 3.0 195* 160 d2pak irfs3107-7ppbf n 75 2.6 240* 160 d2pak-7 irfs4010pbf

irfs3006pbf替代型号

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