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当前位置：维库电子市场网>IC>irfz30 更新时间:2026-04-20 14:30:00

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irfz30中文资料

  • 标准包装:

    1,000

  • 类别:

    分离式半导体产品

  • 家庭:

    FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • FET 型:

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • FET 特点:

    标准型

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    50V

  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:

    30A

  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:

    50 毫欧 @ 16A，10V

  • Id 时的 Vgs(th)（最大）:

    4V @ 250µA

  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:

    30nC @ 10V

  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:

    1600pF @ 25V

  • 功率 - 最大:

    75W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商设备封装:

    TO-220AB

  • 包装:

    管件

  • 其它名称:

    *IRFZ30

  • IRFZ30

    30.0A/50V

  • 请问大虾：H桥上的电机两端电压，为什么压降到3v

    请问大虾：h桥上的电机两端电压，为什么压降到3v小弟最近在用mos管irfz30搭h桥控制180w的电机，但发现电机两端只有3v(桥上电源是12v,而且栅极给了15v或12v做驱动都不行)？而且如果只用两个mos管代替h桥直接控制两端可以有9v左右，恳请各位大虾帮忙！！！

  • 为何12v加在H桥，可是直流电动机的两端压降只剩8v左右

    为何12v加在h桥，可是直流电动机的两端压降只剩8v左右我用12v驱动型号irfz30的mosfet.html">mosfet搭h桥（电源是12v），为何h路驱动的直流电动机的两端的电压只剩下8v左右，mosfet的功耗应该不会这么大吧，我觉得mosfet的压降应该不超过1v啊!急盼高手解答！谢谢！！

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