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历史最低报价:¥0.1500 历史最高报价:¥33.0000 历史平均报价:¥1.2928

irlml6402中文资料

  • 典型关断延迟时间:

    588 ns

  • 典型接通延迟时间:

    350 ns

  • 典型栅极电荷@Vgs:

    8 nC V @ -5

  • 典型输入电容值@Vds:

    633 pF V @ -10

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 宽度:

    1.4mm

  • 封装类型:

    SOT-23

  • 尺寸:

    3.04 x 1.4 x 1.02mm

  • 引脚数目:

    3

  • 最低工作温度:

    -55 °C

  • 最大功率耗散:

    1.3 W

  • 最大栅源电压:

    ±12 V

  • 最大漏源电压:

    -20 V

  • 最大漏源电阻值:

    0.135

  • 最大连续漏极电流:

    -3.7 A

  • 最高工作温度:

    +150 °C

  • 每片芯片元件数目:

    1

  • 类别:

    功率 MOSFET

  • 通道模式:

    增强

  • 通道类型:

    P

  • 配置:

  • 长度:

    3.04mm

  • 高度:

    1.02mm

  • 请问高端MOSFET和低端MOSFET的区别

    请问高端mosfet和低端mosfet的区别请问各位大虾1。高端mosfet和低端mosfet的区别?2。我想用p-chanll的mos管做3v3直流电源的开关, 这方面的应用有没有什么建议?3。mosfet的几个参数我不明白,比如(irlml6402管)资料上说 其is(continuous source current)电流最大为-1.3a, 而vgs= -2.5,其id= -3.7a(正常工作条件), 电流不是从源级(s端)流向漏级(d端)的吗, 那么怎么会不一样?多的电流哪里来??谢谢!

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