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IR推出高压D类音频控制集成电路保护并简化数字放大器电路

全球领先的功率管理技术公司ir近日推出专为每个通道高达500w的d类音频应用开发的200v控制集成电路irs20124s。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。 irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet（如irf6665），电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。” 谭先生认为，“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 设计支持 在ir音频网http://www.irf.com/

IR推出200V控制集成电路IRS20124S

ir推出高压d类音频控制集成电路保护并简化数字放大器电路。 全球领先的功率管理技术公司ir近日推出专为每个通道高达500w的d类音频应用开发的200v控制集成电路irs20124s。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。 irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出:“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet(如irf6665)，电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。” 谭先生认为，“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 供货和报

IR高压D类音频控制器可简化数字放大器电路

国际整流器公司推出专为每个通道高达500w的d类音频应用开发的200v控制集成电路irs20124s。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet(如irf6665)，电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。”他表示：“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 新款irs20124s d类音频高压控制集成电路现已供货。该器件符合无铅和rohs标准。

IR 推出D类音频参考设计

国际整流器公司（ir）近日推出iraudamp3 d类音频参考设计。这款全新的小型参考设计采用irs20124s高压模拟ic及irf6645 directfet ®功率mosfet，可实现无散热器的120w 六通道半桥d类音频功率放大器。 ir公司节能产品部副总裁谭仲能先生指出：“通过采用业界领先的功率mosfets对我们的d类音频高压集成电路进行优化，iraudamp3能够为我们的客户提供显著的性能和尺寸方面的优势。” 集成了irs20124s高压集成电路的参考设计具有内部可选死区时间发生电路，可以防止噪声和电源电压波动，有助于在60w、4ω的情况下实现0.01%的总谐波失真（thd），而在120w、4ω单通道可实现94%的效率。此外，该集成电路还内置了双电流感测和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 iraudamp3的占板面积为4.5平方英寸，也采用了irf6645 directfet 功率mosfet。创新的directfet封装技术通过降低引线电感提高了开关性能，并降低了emi噪声，从而提高了d类音频放大器电路的性能

IR 推出高压D类音频控制IC

ir近日推出专为每个通道高达500w的d类音频应用开发的200v控制集成电路irs20124s。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。 irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet（如irf6665），电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。” 谭先生认为，“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 来源:零八我的爱

IR推出200V控制集成电路IRS20124S

IR推出高压D类音频控制集成电路

全球领先的功率管理技术公司ir近日推出专为每个通道高达500w的d类音频应用开发的200v控制集成电路irs20124s。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。 irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet（如irf6665），电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。” 谭先生认为，“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 设计支持 在ir音频网页ht

IR推出高压D类音频控制集成电路保护并简化数字放大器电路

全球领先的功率管理技术公司ir近日推出专为每个通道高达500w的d类音频应用开发的200v控制集成电路irs20124s。该器件集成的可调节死区时间、双向过流感应等功能可保护放大器系统。此外，这些特性还可以使音频设计师简化电路并减少家庭影院娱乐系统、影音接收机和汽车音响系统中d类音频放大器的元件数量。 内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿，并具有噪声和电源电压波动免疫功能，以改善总谐波失真thd。 irs20124s内置双向电流感应和集成的关断功能，在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出mosfet。 ir消费及工业产品部副总裁谭仲能指出：“使用这一新型d类音频集成电路来驱动音频mosfet（如irf6665），电路设计人员可以减少系统占板空间，改进pcb布局，降低emi和改善热特性。” 谭先生认为，“d类音频电路需要承受高频开关的高电压变化，ir专门为开关应用优化的mosfet和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率，能增加功率密度并具有更好的音频性能。” 设计支持 在ir音频网http://www.irf.com/