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512K Words x 16 Bits x 2 Banks (16-M...
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IS42S16100-6T
x16 SDRAM
ETC
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ram接口电路 与flash存储器相比较，动态随机存储器dram虽然不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于flash存储器，在系统中主要用作程序的运行空间。 e1－16xs内部的dram控制器支持dram的各种形式，例如fast－page mode、edo和sdram，都可以直接和处理器无缝连接。存储器存取的总线时序刷新控制等可由总线控制寄存器（bcr）设定，这里以目前嵌入式系统设计中常用的sdram说明电路的具体连接。 系统中sdram选用is42s16100－7t。它的存储容量为2banks×512k×16位（2mb），工作电压为（3.3±0.3）v，16位数据宽度，如果用户需要运行嵌入式操作系统以及各种相对较复杂的功能，可以考虑增加sdram的容量，e1－16xs最大支持128mb。 图4为is42s16100－7t sdram存储器和e1－16xs的连接框图，将该sdram配置到系统存储器的bank0，即将e1－16xs的dp0（sdram选择信号）接至is42s16100的cs端，表1可以清晰地反应出e1－16xs和is42s1
方式。(2)dram接口电路 与flash存储器相比较，动态随机存储器dram虽然不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于flash存储器，在系统中主要用作程序的运行空间。 e1-16xs内部的dram控制器支持dram的各种形式，例如fast—page mode，、edo和sdram，都可以直接和处理器无缝连接。存储器存取的总线时序刷新控制等可由总线控制寄存器(bcr)设定。这里以目前嵌入式系统设计中常用的sdram说明电路的具体连接。 系统中sdram选用is42s16100一7t。它的存储容量为2 batlks×512 k×16位(2 mb)，工作电压为(3．3±0．3)v，16位数据宽度。如果用户需要运行嵌入式操作系统及各种相对较复杂的功能，可以考虑增加sdram的容量。e1 —16xs最大支持128 mb。 图4为is42s16l。 0—7t sdram存储器和el一。16xs的连接框图。将该sdram配置到系统存储器的bank0，即将e1—16xs的dp0(sdram选择信号)接至 is42s16100的cs端。表l可以清晰地反映出
512k word×16bit×2 bank(16mbits)，采用vhdl硬件描述语言，sdram接口模块工作在80mhz的频率上，已经成功地应用到了mpeg-4的解码器中。通过对各种码流的测试，表明接口模块在各种情况下都可以正确的工作。接口模块占用了fpga的668个逻辑单元，518个片式触发器，分别占资源的8%和3%。现在我们只是使用了sdram的16位数据总线的低8位，如果升级成更高版本的解码器，配合上数据拼接模块，还有一半的吞吐潜力可以提升。■参考文献1 issi is42s16100 datasheet november 2001(收稿日期：2004-07-04) 来源:零八我的爱
选择外部flash为16位工作方式。 （2）dram接口电路 与flash存储器相比较，动态随机存储器dram虽然不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度大大高于flash存储器，在系统中主要用作程序的运行空间。 e1－16xs内部的dram控制器支持dram的各种形式，例如fast－page mode、edo和sdram，都可以直接和处理器无缝连接。存储器存取的总线时序刷新控制等可由总线控制寄存器（bcr）设定，这里以目前嵌入式系统设计中常用的sdram说明电路的具体连接。 系统中sdram选用is42s16100－7t。它的存储容量为2banks×512k×16位（2mb），工作电压为（3.3±0.3）v，16位数据宽度，如果用户需要运行嵌入式操作系统以及各种相对较复杂的功能，可以考虑增加sdram的容量，e1－16xs最大支持128mb。图4为is42s16100－7t sdram存储器和e1－16xs的连接框图，将该sdram配置到系统存储器的bank0，即将e1－16xs的dp0（sdram选择信号）接至is42s16100的cs端，表1可以清晰地反应出e1－16xs和is42s16100的连接情
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