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isl6561供应商优质现货

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isl6561中文资料

  • 浅谈阵列式积木结构集成磁件在四相VRM中的应用

    电路进行仿真，其他仿真参数同上，仿真波形对比如图8所示。其中vo-2和i1-2为分立电感vrm的仿真波形。 通过图6～图8可见，在等效稳态电感量相同的情况下，采用阵列式积木结构集成磁件的vrm比采用分立电感的vrm动态响应速度快了近25 μs，但总的输出电流纹波增大了近3 a；在等效动态电感量相同时，采用阵列式积木结构集成磁件的vrm与采用分立电感的vrm动态响应相同，总的输出电流纹波也相同，但通道电流纹波减小了近10 a。仿真结果验证了理论分析的正确性。 5 实验验证 实验平台为由isl6561芯片控制的四相vrm，12 v输入，1.0 v输出，工作频率480 khz。1#～8#磁芯选择ui10，测得各电感量列于表3所示。在200 hz的负载动态，输出电流以10 a/μs的变化率在20～80 a之间切换， vrm输出动态响应波形如图9所示。实验结果表明，应用阵列式积木结构集成磁件的四相vrm的稳态输出电压和动态响应较好。 本文提出了一种应用于四相vrm的阵列式积木结构集成磁件，从理论上分析了阵列式积木结构集成磁件参数对vrm性能的影响，对阵列式积木结构集成磁件进行了电磁场有限元分

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