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柒号芯城,离原厂的距离只有0.07公分
上是一个升压比为1:12的宽频带升压变压器。这里使用变压器的根本原因,在于mosfet功率管是电压驱动元件,即使在频率较高时,也只需要很小的驱动电流。这种方式的一个突出优点是省略了推动级的辅助电源,用±15v的电压就可以产生几十甚至上百伏的驱动电压。推动变压器使用0.35mm的高矽硅钢片优质铁心分层绕制,由于体积小,所以简单的绕制方法就能得到很高的性能,实测频响不劣于20hz(0db)-50khz(-3db),完全能满足全频带hi-fi放音的要求。电流输出级qt1、qt2由一对hi-fi名管2sk1058/j162构成互补推挽电路。rt17、rt18、rt7、rt 8、rt9、rt10和rvt1、rvt2构成了mosfet的偏置电路,vt1、vt2用于qt1、qt2的限流保护,约4a时开始动作。t01的次级通过耦合电容ct5、ct6直接驱动qt1、qt2两只功率管。其他部分均属常用的成熟电路。值得一提的是本电路采用了交直流双环负反馈的电路模式。由rt3、rt2构成了lm1875t的直流负反馈回路,而rt4和rt2又构成了交流负反馈回路。由自动控制理论可知,双环负反馈系统的瞬态响应要好于单环系统,