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电源电压:3.3V设备VCC=2.7~3.6V ;结构:存储器单元阵列:(16M+512K)×8位,数据存储器:(512+16)×8位 ;自动编程和擦除:页编程:(512+16)字节,块擦除:(16K+512)字节;页读操作:页大小:(512+16)字节,随机存取:10μs(最大值),串行页访问:50ns(最小值) ;快速写周期时间:编程时间:200μs(典型值),块擦除时间:2ms(典型值);指令/地址/数据复用I/O端口;硬件数据保护:在电源转换过程中编程/擦除锁定;可靠的CMOS准浮栅技术,100k次编程/擦 除周期,10年的数据烬留时间;指令存储器操作;上电自动读操作;封装:48引脚的TSOP和WSOP封装,63引脚的TBGA封装;工作温度:-10~+125℃
8、mbm29lv800be-90pftn 19、mbm29lv160be-90pftn 20、mbm29lv160te-70pftn 21、mbm29lv320bf-70pftn 22、am29lv320db-90ec 23、am29lv320db-90ei 24、am29lv320db-120ec 25、am29lv800db-90ec 26、am29lv640db-90ec 27、am29lv040b-10jc 28、s29al016m90tair20 九、nand flash 1、 k9f2808uoc-ycbo 2、 k9f2808uoc-yibo 3、 k9f5608uob-ycbo 4、 k9f6408u0c-ycb0 5、 k9f1208u0m-ycb0 6、 k9f1208u0a-ycb0 7、 k9f1208u0a-pcb0 8、 k9f1g08uom-ycb0 9、 k9k1g08uom-ycb0 10、k9f2g08uom-ycb0 11、k9f2k08uom-ycb0 12、k9f4g08uom-ycb0 13、k9k4g08uom-ycb0 14、k9