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电源电压：3.3V设备VCC＝2.7～3.6V ；结构：存储器单元阵列：(16M+512K)×8位，数据存储器：(512+16)×8位 ；自动编程和擦除：页编程：(512+16)字节，块擦除：(16K+512)字节；页读操作：页大小：(512+16)字节，随机存取：10μs(最大值)，串行页访问：50ns(最小值) ；快速写周期时间：编程时间：200μs(典型值)，块擦除时间：2ms(典型值)；指令/地址/数据复用I/O端口；硬件数据保护：在电源转换过程中编程/擦除锁定；可靠的CMOS准浮栅技术，100k次编程/擦 除周期，10年的数据烬留时间；指令存储器操作；上电自动读操作；封装：48引脚的TSOP和WSOP封装，63引脚的TBGA封装；工作温度：-10～+125℃
8、mbm29lv800be-90pftn 19、mbm29lv160be-90pftn 20、mbm29lv160te-70pftn 21、mbm29lv320bf-70pftn 22、am29lv320db-90ec 23、am29lv320db-90ei 24、am29lv320db-120ec 25、am29lv800db-90ec 26、am29lv640db-90ec 27、am29lv040b-10jc 28、s29al016m90tair20 九、nand flash 1、 k9f2808uoc-ycbo 2、 k9f2808uoc-yibo 3、 k9f5608uob-ycbo 4、 k9f6408u0c-ycb0 5、 k9f1208u0m-ycb0 6、 k9f1208u0a-ycb0 7、 k9f1208u0a-pcb0 8、 k9f1g08uom-ycb0 9、 k9k1g08uom-ycb0 10、k9f2g08uom-ycb0 11、k9f2k08uom-ycb0 12、k9f4g08uom-ycb0 13、k9k4g08uom-ycb0 14、k9
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