LF353N
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DIP8/05+
进口原装现货,公司热卖
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一部只上传优势台产MOSFET现货或发货
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3000
DIP8/08+
原装深圳现货
LF353N
18503
DIP/13+
进口原装
LF353N/NOPB
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集成电路 (IC)
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
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J-FET
2
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16 V/µs
4MHz
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20pA
3000µV
1.4mA
40mA
±3 V ~ 16 V
0°C ~ 70°C
通孔
8-DIP(0.300",7.62mm)
8-DIP
管件
497-2968-5
图2与图1类似,使用的元件更少,直接输出电键控制电压。 图1 图2 电阻桥触摸开关工作原理及电路 工作原理:图3所示的电阻桥触摸开关采用了lm339,lm339是一种四电压比较器(内部有4个完全相同的电压比较器),该电路只应用了其中的一个,工作电压范围宽达2—32v。用手触摸靠得很近但不接触的双金属片时,lm339第2脚输出低电平信号,使发光二极管led1导通发光。 图3 图4所示的电阻桥触摸开关和图3的不同之处,主要是采用了运算放大器lf353n,而不是电压比较器。lf353n是双运算放大器,该电路也只应用了其中的一个。触摸双金属片时,lf353n的第1脚输出低电平信号,使发光二极管led1导通发光。 图4 图5和图4不同之处就是触摸双金属片时,lf353n的第1脚输出高电平电压,使发光二极管led1导通发光。 图5 图6是专为业余无线电cw电报应用所设计的电键控制电路。 图6 来源:星梦居
图1所示的电阻桥触摸开关采用了lm339lm339是一种四电压比较器(内部有4个完全相同的电压比较器),该电路只应用了其中的一个,工作电压范围宽达2—32v。用手触摸靠得很近但不接触的双金属片时,lm339第2脚输出低电平信号,使发光二极管led1导通发光。 图2所示的电阻桥触摸开关和图1的不同之处,主要是采用了运算放大器lf353n,而不是电压比较器。lf353n是双运算放大器,该电路也只应用了其中的一个。触摸双金属片时,lf353n的第1脚输出低电平信号,使发光二极管led1导通发光。 图3和图2不同之处就是触摸双金属片时,lf353n的第1脚输出高电平电压,使发光二极管led1导通发光。 图4是专为业余无线电cw电报应用所设计的电键控制电路。 来源:柒色7
,在输出还接了二极管d2。a1的正输出被二极管正向压降箝位。 op放大器a2是放大倍数为1的反相放大器其作用是把a1的输出反相。如果采用单极输出,可把a2去掉。 电路r3、r6的作用是用op放大器的输入偏流ie消除失调电压,若选用fet输入op放大器可去掉r3、r6。 元件选择 在本电路中,精度随输入频率的升高而下降,这是因为精度的高低取决于开环频率特性,在最高频率时取多大的开环增益极为关键,频率小于10khz时,可选用4558型op放大器,数十赫以下时应选用tl085或lf353n,大于10khz时须用高速op放大器,为了减少杂散电容的影响,反馈电阻的阻值应降到2~5k。 二极管可选用普通小信号用的开关二极管,但应注意,肖特基二极管有些产品耐压能力较差。电阻的精度取决于电路允许的误差,可用正负1%以内的金属膜电阻。 注释 小信号用二极管电路 小信号硅二极管的主要用途是整流和限幅,用于高频检查波时,通常采用锗二极管或肖特基势垒二极管,它们的正向压降比硅二极管的低,特别是肖特二极管,虽然耐压能力低,但开关速度快,反向恢复时间短,适用于高频或高速转换电路
电压波形放大后有重影是怎么回事?总电路过程如下:使用霍尔电流传感器检测电流(正弦波形),输出为电压信号,经lf353n先电压跟随,再放大,再用隔离光藕运放放大,再用lf353n放大、跟随,最后送采集卡,总放大倍数为160、320、480倍(共3路)。出现的问题是:最后的调理波形有重影,如图其中,0输入时用万用表测有交流电压100mv左右,应该就是波形有重影的原因吧?另外,传感器、lf353的工作电压是先由市电变压到18v,再全桥整流,经过电解电容、104后到7918、7818得到+/-18v,再加电解电容、104,经dc/dc后得到传感器的+/-15v,在示波器上观察,发现+/-18v和+/-15v都有纹波,不知这是否会引起上面的现象,我试着加rc(100k和105)滤波,但这样一来,输出的电压就远达不到要求的电压了(空载时可以),只好放弃。lf353的放大都是用的最简单的反相放大。请大家指教。 * - 本贴最后修改时间:2006-10-23 16:18:13 修改者:wbygmm