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LM48410 Low EMI, Filterless, 2.3W Stereo Cla... NSC LM48410PDF下载
LM48410 Low EMI, Filterless, 2.3W Stereo Cla... NATIONAL SEMICONDUCTOR LM48410PDF下载
LM48410SQ National Semiconductor [Low EMI, Fi... NSC LM48410SQPDF下载
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如何降低D类音频应用中的电磁干扰
附近的频带内变化。虽然每个器件有不同的中心频率、频率扩展和频率变化方法，但只要频率的变化是随机的，则峰值辐射能量便可被降低。这是由于电磁能量倾向散布在较宽阔的频带内，所以总高频能量会如同一个固定频率器件一样保持不变，但在频带内任何一点频率上的噪声均可被降低。图1比较了一个固定频率器件和一个扩展频谱器件的近场emi测量结果。正如图中的红色线表示，峰值能量被减少。如果实现的方法正确，那扩展频谱可以作为一个非常有效的方案，因为它不会对效率和thd造成任何不良的影响。这种技术现已应用在例如lm4675、lm48410和lm48520之类的器件上。图1. d类系统的近场emi测量结果。从红色的虚线可看出左边的固定频率时钟方案和右边的扩展频谱调制之间的分别。为了进一步降低器件的emi辐射，半导体制造商推行了边沿速率控制(erc)。d类输出的高频能量被包含在方波输出的边沿。输出的上升和下降时间越快，则边沿所包含的高频能量就越多。因此，假如输出过渡时间可以被减少，那么便可继而削减由系统发出来的高频能量。不过，减少过渡时间也可能对d类放大器的性能带来不好的影响。随着花在状态之间有效区

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